[发明专利]微同轴结构和微同轴结构的制造方法在审
申请号: | 202310096223.1 | 申请日: | 2023-01-19 |
公开(公告)号: | CN116315549A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 赵利芳;杨云春;陆原 | 申请(专利权)人: | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01P3/06 | 分类号: | H01P3/06;H01P11/00 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 顾艳宇 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同轴 结构 制造 方法 | ||
本发明涉及金属微结构制造技术领域,更具体地说,本发明涉及一种微同轴结构和微同轴结构的制作方法。其中,微同轴结构包括:衬底;底层金属层,形成于上述衬底;支撑墩,形成于上述底层金属层;中间金属层组,连接于上述底层金属层和上述支撑墩;顶层金属层,连接于上述中间金属层组;其中,上述底层金属层、上述金属层组和上述顶层金属层围设形成非矩形空腔结构。具体的,非矩形空腔为多边形结构,趋近于圆形。从而减少微波信号传输过程中的损耗,降低信号传输过程中受到的干扰,提高微同轴结构的信号传输频率。
技术领域
本发明涉及金属微结构制造技术领域,更具体地说,本发明涉及一种微同轴结构和微同轴结构的制作方法。
背景技术
微同轴结构由内外导体构成,其中,外导体相当于屏蔽层,内导体为信号传输结构,而现有的微同轴结构的内外导体之间通常为矩形空腔。在微波信号的传输过程中会激励起高次模,导致产生损耗较大,且信号传输过程中受到干扰较多。
因此,有必要提出一种微同轴结构和微同轴结构的制作方法,以至少部分地解决现有技术中存在的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明第一方面提供了一种微同轴结构。
本发明第二方面提供了一种微同轴结构的制造方法。
有鉴于此,根据本申请实施例提出了一种微同轴结构,包括:
衬底;
底层金属层,形成于上述衬底;
支撑墩,形成于上述底层金属层;
中间金属层组,连接于上述底层金属层和上述支撑墩;
顶层金属层,连接于上述中间金属层组;
其中,上述底层金属层、上述中间金属层组和上述顶层金属层围设形成非矩形空腔结构。
在一种可行的实施方式中,
上述中间金属层组包括:
多个中间金属层,每个上述中间金属层的内侧壁倾斜角度不同;
在一种可行的实施方式中,
上述中间金属层的数量为三个,分别为第一金属层、第二金属层和第三金属层;
其中,上述第一金属层连接于上述底层金属层,上述第一金属层和上述支撑墩之间的夹角为110°至130°;
上述第二金属层分别连接于上述第一金属层和所述支撑墩,上述第二金属层与上述支撑墩之间的夹角为80°至100°;
上述第三金属层分别连接于上述第二金属层和上述顶层金属层,上述第三金属层与上述支撑墩之间的夹角为50°至70°。
在一种可行的实施方式中,上述底层金属层、上述中间金属层和上述顶层金属层均采用同一种金属材料制成。
根据本申请实施例提出了一种微同轴结构的制造方法,用于制造上述技术方案中任一项所述的微同轴结构,包括:
在上述衬底上形成上述底层金属层;
在上述底层金属层上形成上述支撑墩;
在上述底层金属层和上述支撑墩上形成上述中间金属层组;
在上述中间金属层组上形成上述顶层金属层;
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