[发明专利]一种晶圆控片的重复使用方法

权利要求书

1.一种晶圆控片的重复使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆控片，并于所述晶圆控片上生长保护膜层；

对所述晶圆控片进行缺陷测量，获得所述晶圆控片的第一缺陷信息；

于所述晶圆控片上形成工艺膜层且所述工艺膜层覆盖所述保护膜层；

对所述晶圆控片进行缺陷测量，获得所述晶圆控片的第二缺陷信息；

将所述第一缺陷信息和所述第二缺陷信息进行比对，获得缺陷信息差；

将所述缺陷信息差与缺陷标准进行比对，判断机台质量；

进行湿法刻蚀工艺去除所述工艺膜层得到待重复使用的晶圆控片。

2.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述保护膜层的形成方法为等离子体增强化学气相沉积法。

3.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述保护膜层包括二氧化硅、氮化硅、氧化钽或聚酰亚胺中的任意一种或组合。

4.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述保护膜层的厚度为

5.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述第一缺陷信息包括第一缺陷图像及对应的第一缺陷数值，缺陷包括所述晶圆控片上存在的表面缺陷、外延堆叠缺陷、划痕缺陷、颗粒物残留缺陷、滑线缺陷中的任意一种或组合；所述第二缺陷信息包括第二缺陷图像及对应的第二缺陷数值，缺陷包括所述晶圆控片上存在的表面缺陷、外延堆叠缺陷、划痕缺陷、颗粒物残留缺陷、滑线缺陷中的任意一种或组合。

6.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述工艺膜层的形成方法为高密度等离子体化学气相沉积法。

7.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述工艺膜层包括二氧化硅、氮化硅、氧化钽或聚酰亚胺中的任意一种或组合。

8.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述工艺膜层的厚度为

9.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液中HF：H₂O的比值为1：500～1：100。

10.根据权利要求1所述的重复使用方法，其特征在于：在进行湿法刻蚀工艺去除所述工艺膜层后，还包括去除所述保护膜层的步骤。