[发明专利]一种晶圆控片的重复使用方法

说明书

本发明提供一种晶圆控片的重复使用方法，通过在晶圆控片上预先生长保护膜层来保护晶圆控片，使得后续进行CVD制程监控时，在等离子体化学气相沉积工艺膜层的过程中，不会因为使用等离子体而对晶圆控片造成结构损伤，不会出现晶圆控片缺陷数值过高的情况，从而大大提高了晶圆控片的循环使用次数，且在一定程度上降低了晶圆控片的使用成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆控片的重复使用方法。

背景技术

晶圆控片是一种用于监控生产制程的晶圆，在芯片的制造过程中，由于部分产品的参数监控难度大而且可能监测手段会对产品造成不良影响，所以一般会使用晶圆控片先模拟产品工艺，待各项指标符合设计要求后，再使用产品晶圆进行生产，从而可以降低次品率。当晶圆控片跑完所要检验的工序后，若该工序不符合设计要求，操作人员还可以针对性地进行参数调整以符合设计要求。

晶圆控片的使用有可能发生在半导体工艺的很多工序中。例如：化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺在很多工序中用来在晶圆上沉积薄膜，而该工序对沉积薄膜的缺陷质量要求比较高，从而需要日常性的对该CVD制程进行质量监控，这就导致晶圆控片的使用频率非常高。因此，这就要求晶圆控片能够重复使用，以降低晶圆控片的使用成本。

在传统的使用晶圆控片对CVD制程进行质量监控的方法中，需要使用高密度等离子体工艺在晶圆控片上模拟生长绝缘薄膜，待检测完成后，再使用湿法刻蚀工艺去除掉绝缘薄膜，然后在腐蚀后的晶圆控片上再模拟生长绝缘薄膜以继续使用。在模拟生长绝缘薄膜时，由于等离子体会对晶圆控片进行持续轰击，从而会造成晶圆控片的结构损伤，这就导致在重复使用的过程中，使得晶圆控片的缺陷数值过高，从而没办法再作为晶圆控片使用，否则就会降低对CVD制程质量监控的准确性。

因此，如何降低晶圆控片的缺陷数值，以增加晶圆控片的循环使用次数成为当下亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆控片的重复使用方法，用于解决现有技术中晶圆控片可重复使用次数少，晶圆控片的使用成本高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆控片的重复使用方法，包括以下步骤：

提供一晶圆控片，并于所述晶圆控片上生长保护膜层；

对所述晶圆控片进行缺陷测量，获得所述晶圆控片的第一缺陷信息；

于所述晶圆控片上形成工艺膜层且所述工艺膜层覆盖所述保护膜层；

对所述晶圆控片进行缺陷测量，获得所述晶圆控片的第二缺陷信息；

将所述第一缺陷信息和所述第二缺陷信息进行比对，获得缺陷信息差；

将所述缺陷信息差与缺陷标准进行比对，判断机台质量；

进行湿法刻蚀工艺去除所述工艺膜层得到待重复使用的晶圆控片。

可选地，所述保护膜层的形成方法为等离子体增强化学气相沉积法。

可选地，所述保护膜层包括二氧化硅、氮化硅、氧化钽或聚酰亚胺中的任意一种或组合。

可选地，所述保护膜层的厚度为

可选地，所述第一缺陷信息包括第一缺陷图像及对应的第一缺陷数值，缺陷包括所述晶圆控片上存在的包括表面缺陷、外延堆叠缺陷、划痕缺陷、颗粒物残留缺陷、滑线缺陷中的任意一种或组合；所述第二缺陷信息包括第二缺陷图像及对应的第二缺陷数值，缺陷包括所述晶圆控片上存在的表面缺陷、外延堆叠缺陷、划痕缺陷、颗粒物残留缺陷、滑线缺陷中的任意一种或组合。

可选地，所述工艺膜层的形成方法为高密度等离子体化学气相沉积法。