[发明专利]等静压石墨的生产工艺、等静压石墨及应用在审
申请号: | 202310099065.5 | 申请日: | 2023-02-08 |
公开(公告)号: | CN116120068A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 吕尊华;李俊海;纪斌;姚亮;万伟光 | 申请(专利权)人: | 上海福碳新材料有限公司;福建福碳新材料科技有限公司;福建沪碳半导体材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/532 | 分类号: | C04B35/532;H01L21/673;C04B35/52;C04B35/622;C01B32/205;C01B32/215 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张金铭 |
地址: | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静压 石墨 生产工艺 应用 | ||
1.一种等静压石墨的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
A、将煅后石油焦和氟化沥青混合后经混捏和粗碎得到粗碎物料;
B、将所述粗碎物料粉碎后进行冷等静压成型得到生制品;
C、将所述生制品进行焙烧浸渍循环后经最终焙烧得到等静压石墨半成品;
D、对所述等静压石墨半成品在2300℃~2500℃石墨化60h~70h得到所述等静压石墨。
2.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述焙烧浸渍循环的次数为2次;
优选地,所述焙烧浸渍循环包括按顺序进行的第一焙烧、第一浸渍、第二焙烧和第二浸渍。
3.根据权利要求2所述的生产工艺,其特征在于,所述第一焙烧的时间为500h~800h;
优选地,所述第二焙烧和所述最终焙烧的时间各自独立的为120h~170h;
优选地,所述第一焙烧、所述第二焙烧和所述最终焙烧的温度各自独立的为800℃~1300℃;
优选地,所述第一浸渍和所述第二浸渍的温度各自独立的为150℃~250℃;
优选地,所述第一浸渍和所述第二浸渍的压力各自独立的为4MPa~4.5MPa。
4.根据权利要求2所述的生产工艺,其特征在于,所述氟化沥青的灰分≤0.1%、软化点≥120℃、喹啉不溶物≤1%且氟含量为6%~20%;
优选地,所述第一浸渍和所述第二浸渍对应使用第一浸渍氟化沥青和第二浸渍氟化沥青;优选地,所述第一浸渍氟化沥青的灰分≤0.05%、软化点为80℃~95℃、喹啉不溶物≤0.5%且氟含量为3%~5%;
优选地,所述第二浸渍氟化沥青的灰分≤0.05%、软化点为80℃~95℃、喹啉不溶物≤0.01%且氟含量为0.5%~2%。
5.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述煅后石油焦和氟化沥青的质量比为3~4:1;
优选地,所述煅后石油焦的灰分≤0.7%,石墨化度≥80%;
优选地,所述煅后石油焦的粒度为5μm~10μm。
6.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,步骤A中,所述粗碎物料的粒径<1mm;
优选地,步骤B中,将所述粗碎物料粉碎后得到细碎物料,所述细碎物料的粒径为3μm~5μm。
7.根据权利要求2所述的生产工艺,其特征在于,还包括在所述第一焙烧、所述第二焙烧和所述最终焙烧结束后的抽真空过程;
优选地,所述抽真空过程是在焙烧后对焙烧品抽真空除杂质,使得焙烧腔室内真空度为-95kPa~-98kPa;
优选地,所述第一浸渍和/或所述第二浸渍的过程是向所述抽真空后的浸渍容器内,加入所述第一浸渍氟化沥青、第二浸渍氟化沥青对所述焙烧后获得的焙烧品进行浸渍。
8.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述冷等静压成型的压力为280MPa~320MPa;
优选地,所述冷等静压成型的时间为30min~80min。
9.一种权利要求1-8任一项所述的生产工艺生产得到的等静压石墨。
10.一种权利要求9所述的等静压石墨在半导体领域中的应用。
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