[发明专利]碳化硅粉及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202310101251.8 申请日: 2023-02-03
公开(公告)号: CN115974083A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 燕靖 申请(专利权)人: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221000 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1.聚合反应:取碳前驱体均匀溶解于溶剂中,加入硅源,搅拌使硅源均匀分散在溶液中,得混合溶液,再向混合溶液中加入催化剂,在催化剂的作用下碳前驱体发生聚合反应得到有机聚合物,所述有机聚合物内均匀包裹硅源;

S2.老化、干燥:有机聚合物在40-80℃恒温条件下老化,使步骤S1中未完全反应的碳前驱体充分反应,将老化后的有机聚合物干燥,得到干燥后的有机聚合物;

S3.高温合成:将干燥后的有机聚合物置于石墨热场中,并转移至炉腔中,在高温条件有机聚合物碳化形成碳源,碳源与硅源反应,得到高纯碳化硅粉。

2.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中,

所述碳前驱体为间苯二酚和甲醛,所述催化剂为碳酸钠;或者,

所述碳前驱体为间苯三酚和甲醛,所述催化剂为碳酸钠;或者,

所述碳前驱体为壳聚糖,所述催化剂为乙酸。

3.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中,所述硅源为硅颗粒,硅颗粒的粒径为3μm-30μm,纯度为99.99%。

4.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中,所述溶剂为去离子水、乙醇、异丙醇中的一种。

5.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中,碳前驱体与硅源中碳、硅的摩尔比为(1-1.5):1,按照体积比2%-20%向所述混合溶液中加入所述催化剂。

6.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S2中,老化时间2-8h,干燥方式采用常温干燥,常温干燥时间为5-20h;或者,

干燥方式采用冷冻干燥,冷冻干燥时间为10-100h;或者,

干燥方式采用超临界干燥,超临界干燥时间为5-15h。

7.根据权利要求1所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S3中,在高温合成步骤之前先进行粉碎处理和筛分分离,将所述有机聚合物粉碎至1.5mm-5mm。

8.根据权利要求7所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S3中,采用研磨设备进行粉碎处理,研磨介质为碳化硅研磨珠,碳化硅研磨珠的直径为0.5mm-1mm,研磨时,碳化硅研磨珠和有机聚合物的质量比为(0.5-2):1;

筛分分离时,采用筛分机将碳化硅研磨珠与研磨后的有机聚合物分离,筛分机的筛网孔径为1-1.2mm。

9.根据权利要求8所述的碳化硅粉的制备工艺,其特征在于,所述步骤S3中,高温合成的具体步骤:

将筛分分离后的有机聚合物装入石墨坩埚中,将装配好的石墨坩埚转移至合成炉中,首先采用惰性气体对合成炉的炉腔进行吹扫,惰性气体纯度为99.99999%;吹扫时间为0.5-1h;之后抽真空,使炉腔的真空度至少为1×10-5mbar;进行漏率检测合格后开始升压至60-150mbar;恒压60-150mbar,开始加热,合成炉的炉腔温度在2-4h升温至1000-1200℃,之后恒温5-10h,使有机聚合物在该温度下无氧碳化形成碳源;之后在4-8h升温至2100-2400℃,控制温度恒定在2100-2400℃,恒温时间为20-50h,使碳源和硅源充分参与反应;

之后进行降温,使炉腔温冷却至室温,并取出石墨坩埚,得到块状碳化硅;

将块状碳化硅进行粉碎处理,并通过分级筛分得到不同尺寸的碳化硅粉。

10.一种碳化硅粉,其特征在于,采用权利要求1-9任一项所述的制备工艺制备而成,所述碳化硅粉具有碳包裹硅的微观结构。

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