[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，包括一周边区以及一存储区；

多条位线，设置在所述衬底上，多条所述位线沿着一第一方向延伸通过所述周边区和所述存储区并且沿着一第二方向平行排列，所述第一方向与所述第二方向垂直；

多个绝缘插塞以及多个第一间隔物，沿着所述第一方向交替设置在所述周边区的所述位线之间；以及

多个导电插塞以及多个第二间隔物，沿着所述第一方向交替设置在所述存储区的所述位线之间，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物包括相同材料，且沿着所述第一方向，所述第二间隔物的一宽度小于所述第一间隔物的一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔物与所述绝缘插塞接触的一边缘具有外凸弧形轮廓，所述第二间隔物与所述导电插塞接触的一边缘具有内凹弧形轮廓。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括多个第三间隔物，设置在所述周边区和所述存储区的一交界区上，并且，位于所述绝缘插塞和所述导电插塞之间，其中，沿着所述第一方向，所述第三间隔物的宽度小于所述第一间隔物的所述宽度，并且大于所述第二间隔物的所述宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第三间隔物的一边缘与所述绝缘插塞接触并且具有凸弧形轮廓，另一边缘与所述导电插塞接触并且具有凹弧形轮廓。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间隔物的顶面低于所述第一间隔物的顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多个间隙壁，沿着所述位线的侧壁设置，其中，所述间隙壁介于所述导电插塞和所述位线之间的部分的厚度小于所述间隙壁介于所述绝缘插塞和所述位线之间的部分的厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔物和所述第二间隔物分别穿过所述间隙壁，并与所述位线的所述侧壁直接接触。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔物与所述绝缘插塞接触的一边缘和与所述间隙壁接触的另一边缘在一凹角处相连接。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔物和所述第二间隔物分别包括气隙。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔物和所述第二间隔物的材料包括氮化硅，所述绝缘插塞的材料包括氧化硅，所述导电插塞的材料包括钨。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

多个有源区，设置在所述衬底的所述存储区中，多个所述有源区沿着一第三方向延伸并且交错排列成阵列，其中，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向交错；以及

多条字线，设置在所述衬底中，多条所述字线沿着所述第二方向延伸并沿着所述第一方向平行排列，以将各所述有源区划分成一个中间部和两个端部，其中，所述第二间隔物沿着所述第二方向对齐排列在所述字线的正上方，所述有源区的所述中间部分别与所述位线电性接触，所述端部分别与所述导电插塞电性接触。