[发明专利]一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质

说明书

本发明涉及存储芯片工作应力模拟技术领域，公开了一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质，包括以下步骤：S1：测试平台系统获取存储芯片的基础信息；S2：根据需求对存储芯片进行分区，划分工作应力施加区域及无工作应力施加区域；S3：测试平台系统从算法库中提取算法并分配到工作应力施加区域上；S4：工作应力施加区域通过测试平台系统模拟控制存储芯片的参数配置；S5：工作应力施加区域通过测试平台系统根据存储芯片的基础信息从驱动库中获取驱动配置；S6：测试平台系统通过S5的驱动配置后对工作应力施加区域进行工作应力模拟。通过划分存储芯片为工作应力施加区域和无工作应力施加区域，测试存储芯片不同区域对应力的敏感程度。

技术领域

本发明涉及存储芯片工作应力模拟技术领域，特别涉及一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质。

背景技术

存储芯片的寿命在理想环境下可以使用多年，但我们不能等到若干年后存储芯片发生故障后再去研究失效机理，所以需要对存储芯片施加应力，加快暴露存储芯片的潜在缺陷，以更好的研究存储芯片的失效机理。

通常应力包括施加在芯片上的磁场应力、电应力、温度应力等环境应力，现有的技术大多也是在环境应力下测试存储芯片的可靠性。然而随着新能源汽车技术的发展，在更复杂的环境下，对存储芯片的可靠性也有更高的要求。现有的存储芯片的测试对存储芯片的工作负荷没有明确要求，存储芯片的潜在缺陷的暴露速度相对较慢。而存储芯片因使用场景的不同，其工作负荷也不同，如果存储芯片的工作负荷比较低，即使施加上述环境应力也可能无法实现暴露存储芯片的潜在缺陷。

发明内容

为了解决现有技术中对存储芯片的可靠性的测试过程中没有考虑存储芯片的工作负荷的问题，本发明提供了一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质。

本发明的技术方案包括以下：

本发明提供了一种存储芯片工作应力的模拟方法，通过测试平台系统实现，包括以下步骤：

S1：所述测试平台系统获取存储芯片的基础信息；

S2：根据需求对所述存储芯片进行分区，划分工作应力施加区域及无工作应力施加区域；

S3：所述测试平台系统从算法库中提取算法并分配到所述工作应力施加区域上；

S4：所述工作应力施加区域通过所述测试平台系统模拟控制所述存储芯片的参数配置；

S5：所述工作应力施加区域通过所述测试平台系统根据所述存储芯片的基础信息从驱动库中获取驱动配置；

S6：所述测试平台系统通过S5的驱动配置后对所述工作应力施加区域进行工作应力模拟。

进一步地，所述S1包括：

所述存储芯片的基础信息通过可被所述测试平台系统读取及解析的文字或代码进行描述；

所述存储芯片的基础信息包括但不限于存储芯片名称、页大小、扇区大小、通信速率、通信协议及存储容量。

进一步地，所述S2包括：

所述存储芯片划分的工作应力施加区域包括一个或多个。

进一步地，所述S3包括：

所述测试平台系统根据所述存储芯片的工作负荷状态，分配一个或多个算法到所述工作应力施加区域上。

进一步地，所述S3还包括：

所述算法库中包括各种对存储芯片的操作算法，包括但不限于正、反棋盘算法。

进一步地，所述S4包括：

所述存储芯片的参数配置的模拟控制包括每个所述工作应力施加区域中的算法组合的循环次数、循环时间、区域执行顺序的设定。