[发明专利]一种射频前端模组封装工艺结构在审
| 申请号： | 202310120300.2 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN115881655A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 朱祥;董元旦;杨涛;马增红 | 申请（专利权）人： | 成都频岢微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/66;H01L25/18 |
| 代理公司： | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人： | 傅晓 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 前端 模组 封装 工艺 结构 | ||
1.一种射频前端模组封装工艺结构，其特征在于，包括基板（1）以及设置于基板（1）上的封装层（7），所述封装层（7）包括阻焊层（2），所述阻焊层（2）设置于基板（1）的上表面，所述阻焊层（2）上开设有第一开窗、第二开窗以及若干个第三开窗，所述第一开窗的基板（1）上设置有至少两个顶层金属pad（3），所述第二开窗的基板（1）上设置有至少两个顶层金属pad（3），在第一开窗和第二开窗的每个所述顶层金属pad（3）上均设置有一个第二bump（401），每个所述第三开窗的基板（1）上均设置有一个顶层金属pad（3），在每个所述第三开窗的顶层金属pad（3）上均设置有一个第一bump（4），每两个相邻所述第三开窗之间形成一个单独的阻焊层支柱（201），所述第三开窗上覆盖有第一裸die（5），所述第一裸die（5）的下表面分别与阻焊层（2）的上表面、阻焊层支柱（201）的上表面以及第一bump（4）的上表面贴合，所述第一开窗上覆盖有第二裸die（601），所述第二裸die（601）的下表面分别与阻焊层（2）的上表面以及第一开窗内第二bump（401）的上表面贴合，所述第二裸die（601）、阻焊层（2）和基板（1）包围形成空腔（8），所述第二开窗上覆盖有第三裸die（602），所述第三裸die（602）的下表面分别与阻焊层（2）的上表面以及第二开窗内第二bump（401）的上表面贴合，所述第三裸die（602）、阻焊层（2）和基板（1）包围形成空腔（8）。
2.根据权利要求1所述的射频前端模组封装工艺结构，其特征在于，所述第一bump（4）为SOI或者CMOSdie的bump，所述第一裸die（5）为SOI或者CMOSdie。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组封装工艺结构，其特征在于，所述第二bump（401）为滤波器或者双工器裸die的bump，所述第二裸die（601）和第三裸die（602）均为滤波器或者双工器裸die。
4.根据权利要求1所述的射频前端模组封装工艺结构，其特征在于，所述阻焊层（2）的厚度根据第一bump（4）和第二bump（401）在基板（1）上贴片后的高度来确定。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组封装工艺结构，其特征在于，所述空腔（8）通过molding材料封装形成密闭空腔。
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