[发明专利]一种射频前端模组封装工艺结构在审

专利信息
申请号: 202310120300.2 申请日: 2023-02-16
公开(公告)号: CN115881655A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 朱祥;董元旦;杨涛;马增红 申请(专利权)人: 成都频岢微电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/66;H01L25/18
代理公司: 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 代理人: 傅晓
地址: 611730 四川省成都市郫都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 前端 模组 封装 工艺 结构
【说明书】:

发明公开了一种射频前端模组封装工艺结构,通过将阻焊层的制作厚度加厚,并将阻焊层上开窗的大小设置为比裸die的滤波器或者双工器尺寸要小些,将芯片放入开窗内,经过SMT焊接后,裸die的边缘就能很好地支撑起裸die,并且形成空腔,从而使得裸die的封装简化,降低二次封装的成本和高昂的封装材料。另一方面,本发明中通过阻焊层对裸die的支撑作用,大大的提高了射频前端模组封装的可靠性。

技术领域

本发明属于分集射频前端模组芯片技术领域,具体涉及一种射频前端模组封装工艺结构的设计。

背景技术

随着芯片设计技术和制造工艺的飞速发展,分集射频前端模组芯片的集成度越来越高,分集射频前端模组主要用于手机的分集接收通路,采用多芯片SIP技术将射频开关、低噪声放大器(LNA)、声表滤波器以及双工器集成到封装基板中。然而这些分立器件逐渐增多,导致基板中的空间逐渐减小,从而导致封装可靠性压力越来越大,针对这种情况很多研发人员也是通过缩小分立器件尺寸以及对滤波器和双工器进行WLP(晶圆级封装)从而提高可靠性。但此封装需要针对滤波器以及双工器进行二次封装,成本过高,模组封装周期加长,市场上另一种解决方案是利用有机膜让贴在基板上的裸die形成空腔,从而达到滤波器或者双工器内部IDT不受到污染。但这种方式的对膜的要求较高,成本也会增加很多。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有针对分集射频前端模组的封装技术存在封装可靠性较低及封装成本较高的问题,提出了一种射频前端模组封装工艺结构,减少封装成本并提高模组的封装可靠性。

本发明的技术方案为:一种射频前端模组封装工艺结构,包括基板以及设置于基板上的封装层,封装层包括阻焊层,阻焊层设置于基板的上表面,阻焊层上开设有第一开窗、第二开窗以及若干个第三开窗,第一开窗的基板上设置有至少两个顶层金属pad,第二开窗的基板上设置有至少两个顶层金属pad,在第一开窗和第二开窗的每个顶层金属pad上均设置有一个第二bump,每个第三开窗的基板上均设置有一个顶层金属pad,在每个第三开窗的顶层金属pad上均设置有一个第一bump,每两个相邻第三开窗之间形成一个单独的阻焊层支柱,第三开窗上覆盖有第一裸die,第一裸die的下表面分别与阻焊层的上表面、阻焊层支柱的上表面以及第一bump的上表面贴合,第一开窗上覆盖有第二裸die,第二裸die的下表面分别与阻焊层的上表面以及第一开窗内第二bump的上表面贴合,第二裸die、阻焊层和基板包围形成空腔,第二开窗上覆盖有第三裸die,第三裸die的下表面分别与阻焊层的上表面以及第二开窗内第二bump的上表面贴合,第三裸die、阻焊层和基板包围形成空腔。

进一步地,第一bump为SOI或者CMOSdie的bump,第一裸die为SOI或者CMOSdie。

进一步地,第二bump为滤波器或者双工器裸die的bump,第二裸die和第三裸die均为滤波器或者双工器裸die。

进一步地,阻焊层的厚度根据第一bump和第二bump在基板上贴片后的高度来确定。

进一步地,空腔通过molding材料封装形成密闭空腔。

本发明的有益效果是:

(1)本发明将阻焊层的制作厚度加厚,并将阻焊层上开窗的大小设置为比裸die的滤波器或者双工器尺寸要小些,将芯片放入开窗内,经过SMT焊接后,裸die的边缘就能很好地支撑起裸die,并且形成空腔,从而使得裸die的封装简化,降低二次封装的成本和高昂的封装材料。

(2)本发明中通过阻焊层对裸die的支撑作用,大大的提高了射频前端模组封装的可靠性。

(3)本发明在每两个相邻第三开窗之间形成一个单独的阻焊层支柱,从而能够给更好的支撑SOI或者COMSdie。

(4)本发明中阻焊层的厚度是经过bump在基板上贴片后的高度来定制的厚度,从而使模组封装用的mloding材料在真空封装过程中不会侵入到空腔中。

附图说明

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