[发明专利]一种mini LED芯片减薄方法及mini LED

权利要求书

1. 一种mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：

步骤一、提供临时基板，对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理，以在所述临时基板的两侧分别形成粗化面与非粗化面；

步骤二、提供mini LED芯片，在所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面上均涂布气解胶，并将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合，以使所述mini LED芯片与所述临时基板键合在一起；

步骤三、将键合在一起的所述mini LED芯片与所述临时基板通过蜡液粘连在陶瓷盘上，且所述临时基板位于所述mini LED芯片及所述陶瓷盘之间；

步骤四、将所述陶瓷盘转移至减薄机中，对所述mini LED芯片的衬底面进行第一次减薄，并对减薄后的所述mini LED芯片的衬底面进行研磨抛光，以使所述mini LED芯片形成第一减薄芯片；

步骤五、将装载有所述第一减薄芯片与所述临时基板的所述陶瓷盘放置在热板上进行加热，融化所述蜡液并取下所述第一减薄芯片与所述临时基板；

步骤六、提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上，且所述第一减薄芯片位于所述临时基板及所述第一粘连载具之间；

步骤七、利用镭射激光照射所述气解胶，以使所述第一减薄芯片与所述临时基板分离，将装载有所述第一减薄芯片的所述第一粘连载具载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片过程中预设的切割道内形成改质层，接着将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机，以使劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片切割为若干独立的分割芯片；

步骤八、提供第二粘连载具，将所述分割芯片转移至所述第二粘连载具上，并使所述分割芯片的芯片面朝向所述第二粘连载具；

步骤九、将载有所述分割芯片的所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，利用等离子体刻蚀工艺轰击所述分割芯片的衬底面，进行第二次减薄，以形成第二减薄芯片。

2. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤一中，通过干法刻蚀、湿法腐蚀、粗研磨方式中的其中一种对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理。

3. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述临时基板与所述mini LED芯片的尺寸相同，且所述临时基板由SiO₂或Al₂O₃或GaN材质制成，所述临时基板的厚度范围为400um~800um。

4. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述气解胶的粘度介于250CPS~5500CPS之间，所述气解胶的厚度范围为5um~30um。

5. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤二中，将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合的键合温度范围为70℃~120℃。

6. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述第一减薄芯片的厚度范围为50um~70um，所述第二减薄芯片的厚度范围为30um~60um。

7. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述镭射激光的波段≤355nm。

8. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤七中，将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机之前，在所述第一减薄芯片的芯片面上贴附PET膜。

9. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺的上基板功率范围为500W~5000W，下基板功率范围为500W~5000W，通入气体包括Cl₂、Ar、N₂，气体流量范围为20sccm~500sccm，腔体压力范围为2mToor~20mToor。

10.一种mini LED，其特征在于，所述mini LED根据如权利要求1~9任一项所述的miniLED芯片减薄方法制备而成。