[发明专利]一种mini LED芯片减薄方法及mini LED

说明书

本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，包括：提供临时基板与mini LED芯片，在临时基板与mini LED芯片上均涂布气解胶；将mini LED芯片与临时基板粘连在陶瓷盘上；将所述陶瓷盘转移至减薄机中，进行第一次减薄；提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上；利用镭射激光照射所述气解胶；提供第二粘连载具，将所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，进行第二次减薄，形成第二减薄芯片，本发明最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。

技术领域

本发明属于LED芯片减薄的技术领域，具体地涉及一种mini LED芯片减薄方法及mini LED。

背景技术

随着mini LED芯片技术不断升级，芯片面积越来越小，相应的芯片厚度也需要随着面积等比例减薄，否则出现芯片厚度大于芯片长或者宽的情况，导致芯片在封装过程中侧翻。

现有技术对mini LED进行减薄的方法为：将LED晶圆的正面用蜡液粘在陶瓷盘上，然后对LED晶圆的背面进行粗减薄、研磨、抛光，去除一部分衬底，达到需求的剩余厚度，然后对陶瓷盘加热，蜡液融化，从陶瓷盘上取下减薄后的LED晶圆，即下蜡。

但现有的减薄技术极限厚度为80um，一旦减薄厚度小于80um，衬底传热严重，导致晶圆边缘蜡液提前融化，造成晶圆边缘破损，损失良率，且厚度小于80um时，LED晶圆下蜡后翘曲度急剧增加，无法转运，破片急剧增多，导致LED芯片良率大幅度降低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，用于解决现有技术中存在的技术问题，通过利用气解胶将mini LED芯片键合于一临时基板上进行减薄，减薄完成后便于转运，无翘曲，也无边缘破片，无良率损失，打破了传统减薄工艺无法减薄到80um以下的壁垒，且本发明还进一步的对分割芯片利用等离子体刻蚀工艺第二次减薄，使得最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。

一方面，该发明提供以下技术方案，一种mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：

步骤一、提供临时基板，对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理，以在所述临时基板的两侧分别形成粗化面与非粗化面；

步骤二、提供mini LED芯片，在所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面上均涂布气解胶，并将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合，以使所述mini LED芯片与所述临时基板键合在一起；

步骤三、将键合在一起的所述mini LED芯片与所述临时基板通过蜡液粘连在陶瓷盘上，且所述临时基板位于所述mini LED芯片及所述陶瓷盘之间；

步骤四、将所述陶瓷盘转移至减薄机中，对所述mini LED芯片的衬底面进行第一次减薄，并对减薄后的所述mini LED芯片的衬底面进行研磨抛光，以使所述mini LED芯片形成第一减薄芯片；

步骤五、将装载有所述第一减薄芯片与所述临时基板的所述陶瓷盘放置在热板上进行加热，融化所述蜡液并取下所述第一减薄芯片与所述临时基板；

步骤六、提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上，且所述第一减薄芯片位于所述临时基板及所述第一粘连载具之间；

步骤七、利用镭射激光照射所述气解胶，以使所述第一减薄芯片与所述临时基板分离，将装载有所述第一减薄芯片的所述第一粘连载具载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片过程中预设的切割道内形成改质层，接着将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机，以使劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片切割为若干独立的分割芯片；

步骤八、提供第二粘连载具，将所述分割芯片转移至所述第二粘连载具上，并使所述分割芯片的芯片面朝向所述第二粘连载具；