[发明专利]层偏检测方法和装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.层偏检测方法，其特征在于，用于检测待测板的层偏，所述待测板包括多个子基板，每个所述子基板均设有标记圆；所述层偏检测方法包括：

获取所述子基板的基板参数；其中，所述基板参数包括所述子基板的实际中心点坐标、所述标记圆的实际圆心坐标；

根据所述实际中心点坐标计算得到每个所述子基板的初始位移偏移量；其中，将数值最大的所述初始位移偏移量作为目标位移偏移量；

根据所述实际圆心坐标计算得到每个所述子基板的初始涨缩偏移量；其中，将数值最大的所述初始涨缩偏移量作为目标涨缩偏移量；

根据所述实际圆心坐标、所述实际中心点坐标得到每个所述子基板的实际中心线数据，并根据所述实际中心线数据计算得到每个所述子基板的初始旋转偏移量；其中，将数值最大的所述初始旋转偏移量作为目标旋转偏移量；

根据所述初始位移偏移量、所述初始涨缩偏移量、所述初始旋转偏移量、预设的初始模拟点坐标得到目标模拟点坐标组；

根据所述目标模拟点坐标组计算得到每个所述子基板的初始整板偏移量；其中，将数值最大的所述初始整板偏移量作为目标整板偏移量；

根据所述目标涨缩偏移量、所述目标位移偏移量、所述目标旋转偏移量、所述目标整板偏移量对所述待测板进行层偏检测，得到层偏检测结果。

2.根据权利要求1所述的层偏检测方法，其特征在于，所述根据所述实际中心点坐标计算得到每个所述子基板的初始位移偏移量，包括：

对多个所述实际中心点坐标进行筛选，得到参考中心点坐标；

根据所述实际中心点坐标和所述参考中心点坐标得到相对中心点坐标；

根据所述相对中心点坐标计算得到每个所述子基板的初始位移偏移量。

3.根据权利要求2所述的层偏检测方法，其特征在于，所述根据所述实际圆心坐标计算得到每个所述子基板的初始涨缩偏移量，包括：

根据所述实际圆心坐标得到每个所述子基板上所述标记圆的实际靶间距；

根据所述实际靶间距计算得到每个所述子基板的初始涨缩偏移量。

4.根据权利要求3所述的层偏检测方法，其特征在于，所述根据所述实际靶间距计算得到每个所述子基板的初始涨缩偏移量，包括：

对多个所述实际靶间距进行筛选，得到参考靶间距；

根据所述实际靶间距、所述参考靶间距，得到每个所述子基板的涨缩比例；

根据所述涨缩比例计算得到每个所述子基板的所述初始涨缩偏移量。

5.根据权利要求4所述的层偏检测方法，其特征在于，所述根据所述实际圆心坐标、所述实际中心点坐标得到每个所述子基板的实际中心线数据，并根据所述实际中心线数据计算得到每个所述子基板的初始旋转偏移量，包括：

根据所述实际圆心坐标、所述实际中心点坐标得到每个所述子基板的所述实际中心线数据；

对所述实际中心线数据进行筛选，得到参考中心线数据；

根据所述实际中心线数据、所述参考中心线数据，得到每个所述子基板的相对角度差；

根据所述相对角度差计算得到每个所述子基板的初始旋转偏移量。

6.根据权利要求1至5任一项所述的层偏检测方法，其特征在于，所述根据所述初始位移偏移量、所述初始涨缩偏移量、所述初始旋转偏移量、预设的初始模拟点坐标得到目标模拟点坐标组，包括：

根据所述初始位移偏移量、所述初始涨缩偏移量、所述初始旋转偏移量进行均值处理，得到平均偏移数据；

根据所述平均偏移数据对所述初始模拟点坐标进行调整，计算得到第一目标模拟点坐标；

根据所述初始位移偏移量、所述初始涨缩偏移量、所述初始旋转偏移量对所述初始模拟点坐标进行调整，计算得到第二目标模拟点坐标；

根据所述第一目标模拟点坐标、所述第二目标模拟点坐标，得到所述目标模拟点坐标组。