[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法在审

申请号：	202310126922.6	申请日：	2023-02-16
公开（公告）号：	CN115954354A	公开（公告）日：	2023-04-11
发明（设计）人：	汪志刚;张卓	申请（专利权）人：	强华时代（成都）科技有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L29/739;H01L21/8222;H01L27/07;H01L23/544
代理公司：	成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217	代理人：	王玲玲
地址：	610000 四川省***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	一种绝缘栅双极型晶体管制造方法
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【权利要求书】：

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底(102)和外延层(100)；

在有缓冲层(101)时，缓冲层(101)设置在衬底(102)上，外延层(100)设置在缓冲层(101)上；在无缓冲层(101)时，外延层(100)设置在衬底(102)上；所述外延层(100)上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管(402)；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管(401)；所述主IGBT管(402)的发射极与检测IGBT管(401)的发射极通过检测电阻(302)连接，其栅极与检测IGBT管(401)的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT区域上包括：第一结掺杂区域(103)、检测IGBT发射极区域(201)和检测IGBT栅极沟槽区域(204)。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT栅极沟槽区域(204)内设置有第一绝缘区域(207)；所述第一绝缘区域(207)内包括：n型掺杂区域(203)和p型掺杂区域(202)；所述n型掺杂区域(203)与p型掺杂区域(202)交替叠加，形成背靠背齐纳二极管(403)。

4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT栅极沟槽区域(204)与检测IGBT发射极区域(201)连接。

5.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述n型掺杂区域(203)的数量大于等于2，所述p型掺杂区域(202)的数量大于等于2。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述主IGBT区域上包括：第二结掺杂区域(104)、主IGBT栅极沟槽区域(206)和主IGBT发射极区域(205)。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述主IGBT栅极沟槽区域(206)内设置有第二绝缘区域(208)。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述主IGBT区域和检测IGBT区域间不接触。

9.一种根据权利要求1～8任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在衬底(102)或者缓冲层(101)上形成外延层(100)；

S2、在外延层(100)上形成检测IGBT发射极区域(201)和主IGBT发射极区域(205)；

S3、在检测IGBT发射极区域(201)处形成检测IGBT发射极，并形成检测IGBT栅极沟槽区域(204)；

S4、在主IGBT发射极区域(205)处形成主IGBT发射极，并形成主IGBT栅极沟槽区域(206)；

S5、在检测IGBT栅极沟槽区域(204)处形成检测IGBT栅极，在主IGBT栅极沟槽区域(206)处形成主IGBT栅极；

S6、将检测IGBT栅极与主IGBT栅极电连接；