[发明专利]一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法

权利要求书

1.一种掩膜版结构，其特征在于，所述掩膜版结构，包括：

基板，所述基板至少包括切割道区域，所述切割道区域至少包括第一区域；

位于所述基板上的第一遮光层，部分所述第一遮光层构成第一图案，所述第一图案位于所述第一区域，且所述第一图案至少包括第一边界；

第二图案，所述第二图案暴露出所述基板，且所述第二图案至少包括第二边界；

其中，所述第一图案和所述第二图案构成校准标记，且至少部分所述第一边界和至少部分所述第二边界在所述基板上的正投影相互重叠。

2.根据权利要求1所述的掩膜版结构，其特征在于，所述掩膜版结构还包括：

第二遮光层，所述第二遮光层位于所述基板和所述第一遮光层之间；

第三图案，所述第三图案暴露出部分所述第二遮光层；其中，所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案构成校准标记。

3.根据权利要求2所述的掩膜版结构，其特征在于，所述第一图案还包括第三边界，所述第三图案还包括第四边界，至少部分所述第一边界与所述第四边界在所述基板上的正投影相互重叠；或者，至少部分所述第三边界与至少部分所述第四边界在所述基板上的正投影相互重叠。

4.根据权利要求2所述的掩膜版结构，其特征在于，所述第一图案、第二图案和第三图案均为矩形。

5.根据权利要求2所述的掩膜版结构，其特征在于，所述切割道区域还包括第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域，至少部分所述第二图案和/或至少部分所述第三图案位于所述第二区域。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的掩膜版结构，其特征在于，所述掩膜版结构的数量包括多个，所述第一图案、第二图案在每个所述掩膜版结构中的位置对应相同；或者，所述第一图案、第二图案和第三图案在每个所述掩膜版结构中的位置对应相同；其中，

每个所述掩膜版结构还包括其他图案，且不同所述掩膜版结构所包含的其他图案彼此相同或至少存在部分差异。

7.根据权利要求6所述的掩膜版结构，其特征在于，所述掩膜版结构还包括位于所述第二区域的锁定角标记，所述第一图案、所述第二图案所在的区域与所述锁定角标记所在的区域相邻设置；或者，

所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案所在的区域与所述锁定角标记所在的区域相邻设置。

8.根据权利要求6所述的掩膜版结构，其特征在于，所述第一图案包含第一尺寸和第二尺寸，所述第二图案包含第三尺寸和第四尺寸，所述第三图案包含第五尺寸和第六尺寸；其中，

所述第一图案的第一尺寸和第二尺寸的范围均在1.5μm至5μm之间；所述第二图案的第三尺寸和第四尺寸的范围均在1.5μm至5μm之间；所述第三图案的第四尺寸和第五尺寸范围均在1.5μm至5μm之间。

9.根据权利要求6所述的掩膜版结构，其特征在于，多个所述掩膜版结构用来获得半导体器件位于不同层上的目标结构。

10.根据权利要求6所述的掩膜版结构，其特征在于，所述第一图案和第二图案遵循厚度测量标记的设计规则，或者，所述第一图案、第二图案和第三图案遵循厚度测量标记的设计规则。

11.一种掩膜版结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供基板，所述基板至少包括切割道区域，所述切割道区域至少包括第一区域；

形成第一遮光层，所述第一遮光层位于所述基板上；

执行刻蚀工艺，去除部分所述第一遮光层，以形成暴露出所述基板的第二图案，保留下来的部分所述第一遮光层构成第一图案；所述第一图案位于所述第一区域上，所述第一图案至少包括第一边界，所述第二图案至少包括第二边界；

其中，至少部分所述第一边界和至少部分所述第二边界在所述基板上的正投影相互重叠。