[发明专利]一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法

说明书

本公开实施例提供了一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法，其中，所述掩膜版结构包括：基板，所述基板至少包括切割道区域，所述切割道区域至少包括第一区域；位于所述基板上的第一遮光层，部分所述第一遮光层构成第一图案，所述第一图案位于所述第一区域，且所述第一图案至少包括第一边界；第二图案，所述第二图案暴露出所述基板，且所述第二图案至少包括第二边界；其中，所述第一图案和所述第二图案构成校准标记，且至少部分所述第一边界和至少部分所述第二边界在所述基板上的正投影相互重叠。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法。

背景技术

半导体器件在制造过程中需要经过材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、离子注入、机械化学抛光等多道工序，其中以光刻最为关键。在光刻工艺中，曝光光线透过掩膜版上承载的图形投射到晶圆表面涂布的光刻胶上，显影后即可将掩膜版上的图形转移到晶圆上。可以看出，在上述步骤中，掩膜版的性能好坏在一定程度上直接决定了光刻工艺质量的好坏。

然而，在掩膜版的实际生产及使用过程中，都会不可避免的会产生一些缺陷。

发明内容

本公开实施例提供了一种掩膜版结构，所述掩膜版结构，包括：

基板，所述基板至少包括切割道区域，所述切割道区域至少包括第一区域；

位于所述基板上的第一遮光层，部分所述第一遮光层构成第一图案，所述第一图案位于所述第一区域，且所述第一图案至少包括第一边界；

第二图案，所述第二图案暴露出所述基板，且所述第二图案至少包括第二边界；

其中，所述第一图案和所述第二图案构成校准标记，且至少部分所述第一边界和至少部分所述第二边界在所述基板上的正投影相互重叠。

在一些实施例中，所述掩膜版结构还包括：

第二遮光层，所述第二遮光层位于所述基板和所述第一遮光层之间；

第三图案，所述第三图案暴露出部分所述第二遮光层；其中，所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案构成校准标记。

在一些实施例中，所述第一图案还包括第三边界，所述第三图案还包括第四边界，至少部分所述第一边界与所述第四边界在所述基板上的正投影相互重叠；或者，至少部分所述第三边界与至少部分所述第四边界在所述基板上的正投影相互重叠。

在一些实施例中，所述第一图案、第二图案和第三图案均为矩形。

在一些实施例中，所述切割道区域还包括第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域，至少部分所述第二图案和/或至少部分所述第三图案位于所述第二区域。

在一些实施例中，所述掩膜版结构的数量包括多个，所述第一图案、第二图案在每个所述掩膜版结构中的位置对应相同；或者，所述第一图案、第二图案和第三图案在每个所述掩膜版结构中的位置对应相同；其中，

每个所述掩膜版结构还包括其他图案，且不同所述掩膜版结构所包含的其他图案彼此相同或至少存在部分差异。

在一些实施例中，所述掩膜版结构还包括位于所述第二区域的锁定角标记，所述第一图案、所述第二图案所在的区域与所述锁定角标记所在的区域相邻设置；或者，

所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案所在的区域与所述锁定角标记所在的区域相邻设置。

在一些实施例中，所述第一图案包含第一尺寸和第二尺寸，所述第二图案包含第三尺寸和第四尺寸，所述第三图案包含第五尺寸和第六尺寸；其中，