[发明专利]一种微型发光芯片阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种微型发光芯片阵列的制备方法，其特征在于，包括：

提供设定结构，所述设定结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱结构、第三半导体层、电流扩散层和电极层；

在所述电极层上设置设定图案的第一掩膜层；

基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层、所述第三半导体层、所述多量子阱结构的第一预设区进行刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构；

对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行处理，得到露出所述衬底的第二中间结构；

基于所述第二中间结构制备得到微型发光芯片阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行处理，得到露出所述衬底的第二中间结构，包括：

在所述第一中间结构上设置设定图案的第二掩膜层；

基于设置为所述设定图案的第二掩膜层，分别对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行刻蚀，得到露出所述衬底的第二中间结构。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层、所述第三半导体层、所述多量子阱结构的第一预设区进行刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构，包括：

基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层进行湿刻蚀，得到露出所述第三半导体层的第三中间结构；

根据设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述第三中间结构的所述第三半导体层、所述多量子阱结构进行干刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述第三中间结构的所述多量子阱结构进行干刻蚀，包括：

对所述第三中间结构的所述多量子阱结构进行过刻，将所述第二半导体层的部分的所述第一预设区刻蚀除去。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括第一光刻胶层，所述在所述电极层上设置设定图案的第一掩膜层，包括：

在所述电极层上设置第一掩膜层；

基于一道掩膜版对所述第一掩膜层的第一预设区进行处理，得到设定图案的第一掩膜层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二中间结构制备得到微型发光芯片阵列，包括：

在除去第二掩膜层的第二中间结构上设置绝缘层_，并在所述绝缘层上设置接触孔以露出所述第二半导体层的至少部分的所述第一预设区，以及所述电极层的第二预设区；

在露出的所述第二半导体层的至少部分的所述第一预设区，以及所述电极层的第二预设区上设置金属凸点，得到微型发光芯片阵列。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供设定结构，包括：

提供一外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱结构和第三半导体层；

在所述外延片的第三半导体层上设置电流扩散层，在所述电流扩散层上设置电极层。

8.一种微型发光芯片阵列，其特征在于，所述微型发光芯片阵列由权利要求1至7中任一项所述的制备方法制成。