[发明专利]一种微型发光芯片阵列及其制备方法

说明书

本申请提供一种微型发光芯片阵列及其制备方法，涉及显示技术领域。制备方法包括：提供设定结构；在电极层上设置设定图案的第一掩膜层；基于设置为设定图案的第一掩膜层，对设定结构的电极层、电流扩散层、第三半导体层、多量子阱结构的第一预设区进行刻蚀，除去第一掩膜层，得到露出第二半导体层的第一中间结构；对第一中间结构的第二半导体层、第一半导体层、缓冲层的至少部分的第一预设区进行处理，得到露出衬底的第二中间结构；基于所述第二中间结构制备得到微型发光芯片阵列。本申请提供的微型发光芯片阵列的制备方法，简化了制备工艺流程，降低了生产成本。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光芯片阵列及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED，Micro Light Emitting Diode)显示技术有着低耗电、高可靠度、广色域、高亮度和高对比度等特性，是新一代半导体显示技术。Micro LED显示器具有功耗低、温升低、寿命长、显示效果更真实的优点。然而，相关技术中Micro LED显示器存在成本过高的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种微型发光芯片阵列及其制备方法。

本申请提供如下技术方案：

一种微型发光芯片阵列的制备方法，包括：

提供设定结构，所述设定结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱结构、第三半导体层、电流扩散层和电极层；

在所述电极层上设置设定图案的第一掩膜层；

基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层、所述第三半导体层、所述多量子阱结构的第一预设区进行刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构；

对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行处理，得到露出所述衬底的第二中间结构；

基于所述第二中间结构制备得到微型发光芯片阵列。

在本申请的一些实施例中，所述对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行处理，得到露出所述衬底的第二中间结构，包括：

在所述第一中间结构上设置设定图案的第二掩膜层；

基于设置为所述设定图案的第二掩膜层，分别对所述第一中间结构的所述第二半导体层、所述第一半导体层、所述缓冲层的至少部分的所述第一预设区进行刻蚀，得到露出所述衬底的第二中间结构。

在本申请的一些实施例中，所述基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层、所述第三半导体层、所述多量子阱结构的第一预设区进行刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构，包括：

基于设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述设定结构的所述电极层、所述电流扩散层进行湿刻蚀，得到露出所述第三半导体层的第三中间结构；

根据设置为所述设定图案的第一掩膜层，分别对所述第三中间结构的所述第三半导体层、所述多量子阱结构进行干刻蚀，除去所述第一掩膜层，得到露出所述第二半导体层的第一中间结构。

在本申请的一些实施例中，所述第三中间结构的所述多量子阱结构进行干刻蚀，包括：

对所述第三中间结构的所述多量子阱结构进行过刻，将所述第二半导体层的部分的所述第一预设区刻蚀除去。

在本申请的一些实施例中，所述第一掩膜层包括第一光刻胶层，所述在所述电极层上设置设定图案的第一掩膜层，包括：

在所述电极层上设置第一掩膜层；