[发明专利]声表面波器件及其制造方法

权利要求书

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括支撑衬底和声波响应薄膜，所述支撑衬底具有相背设置的第一表面和第二表面，所述声波响应薄膜设置在所述支撑衬底的第一表面上，所述支撑衬底的第一表面包括覆盖所述声波响应薄膜的第一区域与不覆盖所述声波响应薄膜的第二区域；

叉指换能器，所述叉指换能器设置于所述声波响应薄膜远离所述支撑衬底的表面；

至少一个信号引线，所述信号引线设置于所述声波响应薄膜远离所述支撑衬底的表面，并与所述叉指换能器电性连接；

至少一个金属构件，所述金属构件设置于所述支撑衬底的第一表面上，并与所述信号引线电性连接；

第一应力缓冲构件，所述第一应力缓冲构件设置于所述声波响应薄膜与所述金属构件之间，所述第一应力缓冲构件覆盖所述金属构件在所述声波响应薄膜上的投影区域；

多个凸块，所述凸块设置于所述金属构件远离所述支撑衬底的表面上，并与所述金属构件一一对应且电性连接；

安装基板，所述安装基板覆盖所述多个凸块，并与所述多个凸块连接；

封装结构，所述封装结构包覆所述衬底，并与所述安装基板相连。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述声波响应薄膜的厚度小于所述支撑衬底的厚度。

3.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一应力缓冲构件为多个，所述第一应力缓冲构件与所述金属构件一一对应设置。

4.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述声波响应薄膜具有边缘，所述边缘包括多个第一边缘和多个第二边缘，所述声波响应薄膜的所述第一边缘对应所述支撑衬底的所述第一区域，所述声波响应薄膜的所述第二边缘对应所述支撑衬底的所述第二区域，所述第一应力缓冲构件覆盖至少一个所述第二边缘。

5.根据权利要求4所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件还包括第二应力缓冲构件，所述第二应力缓冲构件包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述支撑衬底接合，所述第二部分与所述声波响应薄膜接合。

6.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，定义所述第一部分的边缘与所述声波响应薄膜的边缘之间的距离为第一距离，所述第二部分的边缘与所述声波响应薄膜的边缘之间的距离为第二距离，所述第一距离为1-30微米，所述第二距离为1-30微米。

7.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，至少一个所述第一应力缓冲构件与至少一个所述第二应力缓冲构件形成连续结构。

8.根据权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一应力缓冲构件与所述第二应力缓冲构件形成连续封闭的环形结构，覆盖所述声波响应薄膜的所述边缘。

9.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一应力缓冲构件和/或所述第二应力缓冲构件的弹性模量为1-50GPa。

10.根据权利要求6-9任一项所述的声表面波器件，其特征在于，所述金属构件包括与所述支撑衬底接合的本体，与所述应力缓冲构件接合的缓冲部分，和与所述信号引线电连接的引线部分。

11.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一应力缓冲构件和/或所述第二应力缓冲构件与所述金属构件材料相同。

12.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述支撑衬底为高声速衬底，所述高声速衬底中传播的声速大于所述声波响应薄膜中传播的声速。

13.根据权利要求12所述的声表面波器件，其特征在于，所述声波响应薄膜是双层结构，包括压电薄膜和中间层，其中，所述压电薄膜设置在远离所述支撑衬底的一层，所述中间层设置在所述压电薄膜与所述支撑衬底之间。