[发明专利]声表面波器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种声表面波器件及制造方法，器件包括衬底、叉指换能器、至少一个信号引线、至少一个金属构件、第一应力缓冲构件、多个凸块、安装基板和封装结构。衬底包括支撑衬底和声波响应薄膜，第一应力缓冲构件设置于声波响应薄膜与金属构件之间，第一应力缓冲构件覆盖金属构件在声波响应薄膜上的投影区域。通过上述设计，使得声表面波器件在制造过程中能够避免声表面薄膜的破损、裂纹等，提高声表面波器件的质量。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体而言涉及一种声表面波器件及其制造方法。

背景技术

移动通信系统的射频前端部正在从3G、4G向5G发展，使用频带则向高频化(3GHz以上)发展。声表面波器件SAW作为射频前端部的部件之一，具有在支撑基板上设置压电薄膜的复合衬底，压电薄膜由LiTaO3等压电单晶构成。声表面波器件在制作过程中容易受到外力影响产生破损、裂纹、缺口。尤其是在器件封装时，压电薄膜与焊盘电极等外部连接端子接合时，会对压电薄膜与支撑基板施加应力，造成压电薄膜的破损、裂纹、缺口。

发明内容

本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够避免压电薄膜的破损、裂纹、缺口的声表面波器件及其制造方法。

为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的一个方面，提供了一种声表面波器件，包括衬底、叉指换能器、至少一个信号引线、至少一个金属构件、第一应力缓冲构件、多个凸块、安装基板、封装结构。

所述衬底包括支撑衬底和声波响应薄膜，所述支撑衬底具有相背设置的第一表面和第二表面，所述声波响应薄膜设置在所述支撑衬底的第一表面上，所述支撑衬底的第一表面包括覆盖所述声波响应薄膜的第一区域与不覆盖所述声波响应薄膜的第二区域。

所述叉指换能器设置于所述声波响应薄膜远离所述支撑衬底的表面。

所述信号引线设置于所述声波响应薄膜远离所述支撑衬底的表面，并与所述叉指换能器电性连接。

所述金属构件设置于所述支撑衬底的第一表面上，并与所述信号引线电性连接。

所述第一应力缓冲构件设置于所述声波响应薄膜与所述金属构件之间，所述第一应力缓冲构件覆盖所述金属构件在所述声波响应薄膜上的投影区域。

所述凸块设置于所述金属构件远离所述支撑衬底的表面上，并与所述金属构件一一对应且电性连接。

所述安装基板覆盖所述多个凸块，并与所述多个凸块连接。

所述封装结构包覆所述衬底，并与所述安装基板相连。

根据本申请的一实施方式，所述声波响应薄膜的厚度小于所述支撑衬底的厚度。

根据本申请的一实施方式，所述第一应力缓冲构件为多个，所述第一应力缓冲构件与所述金属构件一一对应设置。

根据本申请的一实施方式，所述声波响应薄膜具有边缘，所述边缘包括多个第一边缘和多个第二边缘，所述声波响应薄膜的所述第一边缘对应所述支撑衬底的所述第一区域，所述声波响应薄膜的所述第二边缘对应所述支撑衬底的所述第二区域，所述第一应力缓冲构件覆盖至少一个所述第二边缘。

根据本申请的一实施方式，所述声表面波器件还包括第二应力缓冲构件，所述第二应力缓冲构件包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述支撑衬底接合，所述第二部分与所述声波响应薄膜接合。

根据本申请的一实施方式，定义所述第一部分的边缘与所述声波响应薄膜的边缘之间的距离为第一距离，所述第二部分的边缘与所述声波响应薄膜的边缘之间的距离为第二距离，所述第一距离为1-30微米，所述第二距离为1-30微米。

根据本申请的一实施方式，至少一个所述第一应力缓冲构件与至少一个所述第二应力缓冲构件形成连续结构。