[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 202310154391.1 | 申请日: | 2023-02-17 |
公开(公告)号: | CN115985980B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 金井升;廖光明 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/048 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 姚宝然 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:
基底(1),所述基底(1)具有第一表面(1a);
隧穿氧化层(2),所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a);
第一掺杂导电层(3),所述第一掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面;
本征多晶硅层(4),所述本征多晶硅层(4)设置于所述第一掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面;
第二掺杂导电层(5),所述第二掺杂导电层(5)设置于所述第一掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面,所述第二掺杂导电层(5)与所述本征多晶硅层(4)的厚度相等,所述第二掺杂导电层(5)的厚度D1满足:10nm≤D1≤90nm;
第一电极(6),多个所述第一电极(6)设置于所述第二掺杂导电层(5)远离所述第一掺杂导电层(3)的一侧;
其中,所述第二掺杂导电层(5)与所述第一电极(6)沿所述太阳能电池的厚度方向对齐设置,所述第一电极(6)的至少部分伸入至所述第二掺杂导电层(5)内,以通过所述第二掺杂导电层(5)与所述第一掺杂导电层(3)电连接;
所述太阳能电池还包括局部掺杂区域(7),所述局部掺杂区域(7)分别与所述第一电极(6)、所述第二掺杂导电层(5)和所述第一掺杂导电层(3)相连接,以使所述第一电极(6)与所述第一掺杂导电层(3)电连接;
所述第一电极(6)包括本体(61)和沿所述本体(61)朝向所述第一掺杂导电层(3)的方向延伸的延伸部(62),所述延伸部(62)包括第一部分(621)和第二部分(622),所述第一部分(621)与所述本体(61)相连,所述第二部分(622)与所述本体(61)之间存在间隔,所述第一部分(621)和所述第二部分(622)的表面均包覆有所述局部掺杂区域(7);
其中,所述局部掺杂区域(7)中含有掺杂元素,所述掺杂元素为N型掺杂物磷、砷、铋、锑中的一种或多种,或P型掺杂物硼、镓、铟中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂导电层(5)的电导率大于所述第一掺杂导电层(3)的电导率。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述第一掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂导电层(5)形成于所述本征多晶硅层(4)内,沿所述太阳能电池的厚度方向,所述第二掺杂导电层(5)贯穿所述本征多晶硅层(4)。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述本征多晶硅层(4)包括多个覆盖部(41),所述覆盖部(41)用于覆盖所述第一掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面;
多个所述覆盖部(41)分别与多个所述第一电极(6)沿所述太阳能电池的厚度方向错位设置。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂导电层(5)位于相邻的两个所述覆盖部(41)之间,并与所述覆盖部(41)的侧面接触。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂导电层(5)与所述第一掺杂导电层(3)具有相同导电类型的掺杂元素,且所述第二掺杂导电层(5)的掺杂浓度大于所述第一掺杂导电层(3)的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂导电层(5)中所述掺杂元素的浓度为3×1020atoms/cm3~8×1020atoms/cm3。
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