[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 202310154391.1 | 申请日: | 2023-02-17 |
公开(公告)号: | CN115985980B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 金井升;廖光明 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/048 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 姚宝然 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件,该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、第一掺杂导电层、本征多晶硅层、第二掺杂导电层和第一电极。基底具有第一表面,隧穿氧化层覆盖于第一表面,第一掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面,本征多晶硅层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面,第二掺杂导电层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面,多个第一电极设置于第二掺杂导电层远离第一掺杂导电层的一侧,其中,第二掺杂导电层与第一电极沿太阳能电池的厚度方向对齐设置,第一电极的至少部分伸入至第二掺杂导电层内,以通过第二掺杂导电层与第一掺杂导电层电连接,能够增强载流子的传输能力,提高太阳能电池的电池效率。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池能够将太阳辐射能直接转化为电能,通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层,以增强对基底的钝化效果。现有技术中,太阳能电池的电极与掺杂导电层之间的电连接不够可靠,载流子在二者之间的传输不畅,影响了太阳能电池的光电转化效率。
发明内容
本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,能够提高太阳能电池的光电转化效率。
本申请第一方面提供一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:
基底,所述基底具有第一表面;
隧穿氧化层,所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面;
第一掺杂导电层,所述第一掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面;
本征多晶硅层,所述本征多晶硅层设置于所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面;
第二掺杂导电层,所述第二掺杂导电层设置于所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面;
第一电极,多个所述第一电极设置于所述第二掺杂导电层远离所述第一掺杂导电层的一侧;
其中,所述第二掺杂导电层与所述第一电极沿所述太阳能电池的厚度方向对齐设置,所述第一电极的至少部分伸入至所述第二掺杂导电层内,以通过所述第二掺杂导电层与所述第一掺杂导电层电连接。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层的电导率大于所述第一掺杂导电层的电导率。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层的厚度D1满足:10nm≤D1≤100nm。
在一种可能的设计中,所述本征多晶硅层覆盖于所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层形成于所述本征多晶硅层内,沿所述太阳能电池的厚度方向,所述第二掺杂导电层贯穿所述本征多晶硅层。
在一种可能的设计中,所述本征多晶硅层包括多个覆盖部,所述覆盖部用于覆盖所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面;多个所述覆盖部分别与多个所述第一电极沿所述太阳能电池的厚度方向错位设置。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层位于相邻的两个所述覆盖部之间,并与所述覆盖部的侧面接触。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层与所述第一掺杂导电层具有相同导电类型的掺杂元素,且所述第二掺杂导电层的掺杂浓度大于所述第一掺杂导电层的掺杂浓度。
在一种可能的设计中,所述第二掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为3×1020atoms/cm3~8×1020atoms/cm3。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的