[发明专利]一种对帽层access区域进行不完全刻蚀方式的器件结构及方法

权利要求书

1.一种对帽层access区域进行不完全刻蚀方式的器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

选取最顶层为P型GaN帽层的外延基片，所述P型GaN帽层具有第一厚度；

在所述P型GaN帽层上刻蚀出access区域，所述access区域位于中间未被刻蚀的P型GaN帽层的两侧，所述access区域的P型GaN帽层的第二厚度大于零且小于所述第一厚度；

在源电极区域和漏电极区域制备欧姆接触的源电极和漏电极；

在所述外延基片上刻蚀有源区的电隔离区域，所述电隔离区域位于源电极和漏电极的外侧；

在所述源电极、所述漏电极、所述access区域的P型GaN帽层上制备钝化层；

刻蚀中间未被刻蚀的所述P型GaN帽层、所述钝化层以制备Fin结构，之后进行氧化处理，所述Fin结构包括间隔排布的刻蚀部分、以及位于相邻两个刻蚀部分之间的未刻蚀部分；

在部分所述钝化层和所述钝化层之间的P型GaN帽层上制备T型的栅电极；

在金属互联区域制备金属互联层，以完成器件结构的制备。

2.根据权利要求1所述的器件结构的制备方法，其特征在于，所述外延基片从下至上依次包括层叠的衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层和P型GaN帽层。

3.根据权利要求1所述的器件结构的制备方法，其特征在于，在所述P型GaN帽层上刻蚀出access区域，包括：

在所述P型GaN帽层上光刻access区域；

利用ALE工艺刻蚀access区域的P型GaN帽层至第二厚度。

4.根据权利要求2所述的器件结构的制备方法，其特征在于，在源电极区域和漏电极区域制备欧姆接触的源电极和漏电极，包括：

光刻所述源电极区域和所述漏电极区域；

在所述源电极区域和所述漏电极区域内制备源电极和漏电极；

对制备源电极和漏电极的器件进行退火处理，制备与GaN沟道层形成欧姆接触的源电极和漏电极。

5.根据权利要求2所述的器件结构的制备方法，其特征在于，在所述外延基片上刻蚀有源区的电隔离区域，包括：

在所述外延基片上光刻电隔离区域；

利用ICP工艺依次刻蚀电隔离区域的P型GaN帽层、AlN势垒层、GaN沟道层和部分厚度的GaN缓冲层，以制备有源区的电隔离区域。

6.根据权利要求1所述的器件结构的制备方法，其特征在于，在所述源电极、所述漏电极、所述access区域的P型GaN帽层上制备钝化层，包括：

在所述源电极、所述漏电极和所述P型GaN帽层上生长所述钝化层；

在所述钝化层上光刻栅角区域，所述栅角区域为中间未被刻蚀的P型GaN帽层所在的区域；

刻蚀去除所述栅角区域内的钝化层，暴露中间未被刻蚀的P型GaN帽层。

7.根据权利要求2所述的器件结构的制备方法，其特征在于，刻蚀中间未被刻蚀的所述P型GaN帽层、所述钝化层以制备Fin结构，之后进行氧化处理，包括：

在所述钝化层和所述P型GaN帽层上进行光刻；

先利用氟基刻蚀去除所述刻蚀部分的钝化层，再利用氯基刻蚀去除所述刻蚀部分的P型GaN帽层、AlN势垒层和部分厚度的GaN沟道层，以制备Fin结构；

对制备Fin结构的器件进行氧化处理。

8.根据权利要求1所述的器件结构的制备方法，其特征在于，在所述钝化层和所述钝化层之间的P型GaN帽层上制备T型的栅电极，包括：

利用双层光刻胶在中间的所述P型GaN帽层上光刻T型栅区域；

利用电子束蒸发法，在所述T型栅区域的P型GaN帽层和部分钝化层上制备T型的栅电极。