[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

埋层，设置于所述衬底的一侧；

外延层，设置于所述埋层远离所述衬底的一侧；

绝缘部，设置于所述外延层远离所述衬底的一侧；

第一导体测试部，位于所述绝缘部的两侧，所述第一导体测试部位于所述外延层以及所述埋层中且延伸入所述衬底内，所述第一导体测试部分别与所述外延层以及所述埋层绝缘设置；

第二导体测试部，位于所述绝缘部的两侧，所述第二导体测试部位于所述外延层中且延伸入所述埋层内，所述第二导体测试部与所述外延层绝缘设置；以及

第三导体测试部，位于所述绝缘部的两侧且延伸入所述外延层内，远离所述埋层的一侧的部分所述第三导体测试部与所述外延层绝缘设置，所述第三导体测试部和所述第二导体测试部位于所述埋层之上，所述第三导体测试部、所述第二导体测试部以及所述第一导体测试部之间间隔设置；

其中，所述衬底、所述外延层以及所述第一导体测试部的掺杂类型为第一掺杂类型，所述埋层、所述第二导体测试部以及所述第三导体测试部的掺杂类型为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导体测试部、所述第二导体测试部以及所述第三导体测试部位于所述绝缘部的相对两侧。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导体测试部、所述第二导体测试部以及所述第三导体测试部的长度与所述外延层的长度相同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽位于所述绝缘部的相对两侧，所述第一导体测试部填充于所述第一沟槽中，所述第二导体测试部填充于所述第二沟槽中，所述第三导体测试部填充于所述第三沟槽中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一隔离部、第二隔离部和第三隔离部，所述第一隔离部设置于所述第一沟槽的侧壁上，所述第一导体测试部位于所述第一隔离部之间，所述第二隔离部设置于所述第二沟槽的侧壁上，所述第二导体测试部位于所述第二隔离部之间，所述第三隔离部设置于所述第三沟槽的侧壁上，所述第三导体测试部设置于所述第三隔离部之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括第四导体测试部、第四隔离部和第四沟槽，所述第四沟槽位于所述外延层内且位于所述绝缘部的相对两侧，所述第四沟槽的底部到所述埋层之间的距离大于所述第三沟槽的底部到所述埋层之间的距离，所述第四沟槽位于所述埋层之上，所述第四导体测试部填充于所述第四沟槽中，所述第四隔离部设置于所述第四沟槽的侧壁与所述第四导体测试部之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离部、所述第二隔离部、所述第三隔离部以及所述第四隔离部之间间隔设置。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离部、所述第二隔离部、所述第三隔离部以及所述第四隔离部之间接触设置。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导体测试部位于所述第二导体测试部远离所述绝缘部的一侧，所述第三导体测试部位于所述第二导体测试部靠近所述绝缘部的一侧，所述第四导体测试部位于所述第三导体测试部靠近所述绝缘部的一侧。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导体测试部与所述第二导体测试部之间、所述第二导体测试部与所述第三导体测试部之间以及所述第三导体测试部与所述第四导体测试部之间的距离相等。