[发明专利]一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置在审

专利信息
申请号: 202310164934.8 申请日: 2023-02-24
公开(公告)号: CN116222977A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 林灵;文越;官明富;卜晖 申请(专利权)人: 重庆微敏科技有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01J1/02;G01J1/08;G01J1/44;G01R31/26
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 408000 重庆市涪*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 发光 芯片 组件 功率 测试 筛选 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于,包括底板、半导体发光芯片组件、温控模块、积分球探测器和探针组件;

所述底板上设置温控模块、积分球探测器和探针组件,所述温控模块上设置所述半导体发光芯片组件,所述积分球探测器和探针组件分别位于所述半导体发光芯片组件的两侧。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述底板设置有第一凹槽,积分球底板卡在所述第一凹槽内,并通过螺栓固定,所述积分球探测器固定于积分球底板,所述积分球底板设置有条形孔。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述半导体发光芯片组件的前出光方向朝向所述积分球探测器的输入光口,所述半导体发光芯片组件的发光点对准输入光口水平中央位置。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述温控模块包括第二热沉、热敏电阻芯片、第二金丝、第三金丝、第四金丝、过渡块、半导体制冷器和镀金蝶形八针管壳;

所述半导体制冷器设置于所述镀金蝶形八针管壳上,所述半导体制冷器上设置所述第二热沉,所述第二热沉的上表面设置有第二凹槽,所述半导体发光芯片组件位于所述第二凹槽内,所述第二热沉设置有所述过渡块,所述过渡块上设置有热敏电阻芯片;

所述镀金蝶形八针管壳设置有TEC﹢管脚、TEC-管脚和两个Th管脚;所述半导体制冷器的正负极引线分别连接至所述TEC﹢管脚和TEC-管脚;所述第四金丝的两端分别键合连接于所述热敏电阻芯片和其中一所述Th管脚,所述第三金丝的两端分别键合连接于所述过渡块和另一所述Th管脚。

5.根据权利要求4所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述半导体发光芯片组件包括半导体发光芯片和第一热沉,所述第一热沉设置于所述第二热沉的第二凹槽内,所述第一热沉的上表面设置所述发光芯片,第一金丝的两端分别键合连接于所述半导体发光芯片和第一热沉。

6.根据权利要求4所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述探针组件包括两组,所述探针组件包括探针、绝缘套管、探针臂和三维微调架;

所述底板上设置有所述三维微调架,所述三维微调架的末端设置所述探针臂,所述探针臂上设置所述绝缘套管,所述绝缘套管内设置所述探针,所述探针的针尖延伸下压至所述第二热沉。

7.根据权利要求4所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:皮安表与所述积分球探测器电连,所述温控模块电连至所述TEC﹢管脚、TEC-管脚和两个Th管脚;脉冲电流源分别与两个探针连接。

8.根据权利要求4所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述第二热沉采用基材为无氧铜高导热金属材料镀金而成。

9.根据权利要求4所述的一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置,其特征在于:所述过渡块的基材通常采用AlN等高导热陶瓷材料,所述过渡块的上下表面均镀金。

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