[发明专利]一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置

说明书

本发明公开了一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置，涉及半导体光源领域，本发明的技术方案包括底板、半导体发光芯片组件、温控模块、积分球探测器和探针组件；所述底板上设置温控模块、积分球探测器和探针组件，所述温控模块上设置所述半导体发光芯片组件，所述积分球探测器和探针组件位于所述半导体发光芯片组件的一侧。将半导体发光芯片组件安装在测试装置上，调节探针位置，使探针与半导体发光芯片组件正负极焊盘接触良好；使测试装置控温在恒定温度(例如25℃)，给半导体发光芯片组件加脉冲电流，同时测试出光功率。由于采用脉冲加电方法，可使发光芯片驱动电流热效应较小，测试出的光功率更准确，重复性更好。

技术领域

本发明涉及半导体光源领域，特别是涉及一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置。

背景技术

半导体光源广泛应用于光纤通信、光纤传感、激光加工等领域。常见的半导体光源包括：高速DFB激光器、980nm泵浦激光器、超辐射发光二极管等。在这些半导体光源的封装过程中，在将半导体发光芯片烧焊到第一热沉上并金丝键合形成半导体发光芯片组件后，需要测试半导体发光芯片组件的光功率，根据光功率的绝对数值判断该半导体发光芯片组件是否合格。然后进行高温电老炼，最后再次测试光功率，根据前后光功率的变化比例判断该半导体发光芯片组件是否合格。因此对半导体发光芯片组件光功率测量的准确性及可重复性就至关重要。

半导体发光芯片输出光功率对芯片有源区的结温敏感，结温增加光功率下降。现有的测试装置和方法要么不能对半导体发光芯片组件进行温控，导致芯片结温随超净环境温度变化而变化，影响光功率测量准确性及可重复性；要么有温控，但是驱动电流持续加在发光芯片上，由于半导体发光芯片组件仅压在测试底座上，并没有焊接，芯片有源区与测试底座之间的热阻大，导致芯片结温相对于底座温度偏高较多，测试光功率偏低，并且由于电流的热效应，随着加电时间增加光功率有下降趋势直到光功率稳定，因此同样影响光功率在指定温度(例如25℃)的准确性及可重复性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置，将半导体发光芯片组件安装在测试装置上，调节探针位置，使探针与半导体发光芯片组件正负极焊盘接触良好；使测试装置控温在恒定温度(例如25℃)，给半导体发光芯片组件加脉冲电流，同时测试出光功率。由于采用脉冲加电方法，可使发光芯片驱动电流热效应较小，测试出的光功率更准确，重复性更好。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体发光芯片组件的光功率测试筛选装置，包括底板、半导体发光芯片组件、温控模块、积分球探测器和探针组件；

所述底板上设置温控模块、积分球探测器和探针组件，所述温控模块上设置所述半导体发光芯片组件，所述积分球探测器和探针组件分别位于所述半导体发光芯片组件的两侧。

优选地，所述底板设置有第一凹槽，所述积分球底板卡在所述第一凹槽内，并通过螺栓固定，所述积分球探测器固定于积分球底板，所述积分球底板设置有条形孔。

优选地，所述半导体发光芯片组件的前出光方向朝向所述积分球探测器的输入光口，所述半导体发光芯片组件的发光点对准输入光口水平中央位置。

优选地，所述温控模块包括第二热沉、热敏电阻芯片、第二金丝、第三金丝、第四金丝、过渡块、半导体制冷器和镀金蝶形八针管壳；

所述半导体制冷器设置于所述镀金蝶形八针管壳，所述半导体制冷器上设置所述第二热沉，所述第二热沉的上表面设置有第二凹槽，所述半导体发光芯片组件位于所述第二凹槽内，所述第二热沉设置所述过渡块，所述过渡块上设置有热敏电阻芯片；

所述镀金蝶形八针管壳设置有TEC﹢管脚、TEC-管脚和两个Th管脚；所述半导体制冷器的正负极引线分别连接至所述TEC﹢管脚和TEC-管脚；所述第二金丝的两端分别键合连接于所述热敏电阻芯片和其中一所述Th管脚，所述第五金丝的两端分别键合连接于所述过渡块和另一所述Th管脚。