[发明专利]处理设备和晶圆处理方法

说明书

本申请公开了一种处理设备和晶圆处理方法。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通。安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道，封闭处理腔。通过上述方式，本申请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及处理设备和晶圆处理方法。

背景技术

晶圆是制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶圆制造的过程当中，会对晶圆进行处理。处理后的晶圆可以进行后续的图案化或者蚀刻工序，以获取需要的电路。晶圆采用处理设备进行处理。处理需要将晶圆传片至处理腔进行。相关技术中，由于设备的传片需要，处理设备内还会具有与处理腔连通的传片通道。传片通道形成的空间在真空条件下与附近的其他零件在热场或射频场上存在较大差异。并且传片通道容易堆积颗粒，颗粒可能会在传片过程中或者处理过程中落在晶圆上，造成颗粒污染。所述传片通道会导致晶圆在处理腔内处理的质量下降。

发明内容

本申请的实施例提供处理设备和晶圆处理方法，能够提高处理设备对晶圆的处理质量。

第一方面，本申请实施例提供一种处理设备。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通；安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道。

第二方面，本申请实施例提供一种晶圆处理方法。晶圆处理方法包括：

将晶圆自传片通道传送至处理腔内。

控制升降机构的遮挡件上升，遮挡传片通道。

晶圆在处理腔内进行处理。

控制遮挡件下降，取消遮挡传片通道。

将晶圆自传片通道从处理腔内取出。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，升降机构的遮挡件降下时，传片通道与处理腔连通。此时可以进行传片操作，晶圆能够顺利地从传片通道传送至处理腔内。升降机构的遮挡件升起时，能够将传片通道阻挡，封闭传片通道与处理腔的连通。此时可以进行处理操作。通过设置升降机构，使得晶圆在处理腔内进行处理时，遮挡件能够将处理腔与传片通道隔绝，一方面能够使处理腔内热场和射频场的分布更加均匀；另一方面能够减少传片通道中的颗粒进入到处理腔内，以减少对晶圆的颗粒污染。如此，能够提高晶圆处理的均匀性，提高晶圆处理的质量。

附图说明

图1是本申请处理设备实施例的结构示意图；

图2是图1所示处理设备中升降机构遮挡件降下的结构示意图；

图3是图2所示升降机构遮挡件的示意图；

图4是图2所示升降机构遮挡件升起的示意图；

图5是图2所示升降机构另一实施例的结构示意图；

图6是本申请晶圆处理方法的步骤流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。