[发明专利]一种HJT光伏电池串焊的方法在审
申请号: | 202310170355.4 | 申请日: | 2023-02-27 |
公开(公告)号: | CN116344670A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 吴小平;唐柯;李晓旭;陈洪野 | 申请(专利权)人: | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/05;H01L31/0747 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 杨慧林 |
地址: | 215200 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hjt 电池 方法 | ||
本发明公开了一种HJT光伏电池串焊的方法,包括以下步骤:(1)将焊带放卷拉引,经过胶黏剂处理装置,得到胶黏剂包覆的焊带;所述胶黏剂为光固化或热固化胶黏剂;(2)将胶黏剂包覆的焊带根据预设图案放置于光伏电池表面,焊带与光伏电池形成初步粘接,对焊带施压并进行光固化或热固化处理,使焊带与光伏电池片固定接触。上述串焊工艺操作简单,焊带不易发生偏移、精度高,可实现焊带与光伏电池长期可靠的欧姆接触。与现有技术中低温焊带或焊带点胶工艺相比较,本发明所提供的串焊方法具有低成本、生产效率高等优点,适用于产业化HJT光伏电池片的低温串焊。
技术领域
本发明涉及HJT光伏电池串焊技术领域,具体涉及一种HJT光伏电池串焊的方法。
背景技术
随着PERC光伏电池的转换效率持续提升,逼近其理论效率极限,新一代HJT光伏电池凭借其高理论转换效率、零光衰、低温度系数以及更高的双面率及弱光响应等优势,成为下一代光伏电池的主流技术路线,迎来发展加速期。在硅基光伏电池领域,由于单个硅基光伏电池的输出电压较低,因此需将多个光伏电池经过串联焊接以输出额定的电压值。基于HJT光伏电池的薄膜工艺技术特点,其电极成型温度低于200℃,否则会对其薄膜结构造成非常大的损伤,因此焊接HJT光伏电池片也需要低温工艺。
由于含主栅HJT光伏电池的低温银浆用量大,成本高。为降低HJT电池的制作成本,对栅极结构进行改进得到无主栅结构的HJT光伏电池,例如OBB无主栅HJT光伏电池,其电池银浆消耗量降低60%~66%,可有效降低成本。目前无主栅HJT光伏电池的串焊主要通过焊带点胶(印刷)光固化工艺,将焊带与光伏电池形成物理接触,再通过“一体膜”胶膜封装,通过“一体膜”与光伏电池片的复合对焊带施压,从而实现焊带与HJT光伏电池长期的欧姆接触。这种焊接技术相对于传统焊接工艺更加复杂,效率低,且这类焊接技术由于焊带与光伏电池仅通过点胶以及胶膜实现二者的接触,随着胶膜的老化,焊带与光伏电池难以保持有效接触,因此这种焊接技术制成的光伏组件存在可靠性不佳的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种HJT光伏电池串焊的方法,通过传统拉放焊带的工艺,将焊带先经过胶黏剂处理装置在焊带表面包覆胶黏剂,然后利用焊带表面的胶黏剂使焊带与光伏电池片形成初步粘接,焊带在压力作用下进行固化焊接,实现低温下焊带与光伏电池片的固定欧姆接触。
为了解决上述技术问题,本发明提供以下技术方案:
本发明第一方面提供了一种HJT光伏电池串焊的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将焊带放卷拉引,经过胶黏剂处理装置,得到胶黏剂包覆的焊带;所述胶黏剂为光固化胶黏剂或热固化胶黏剂,粘度为2000~20000cPs;
(2)将胶黏剂包覆的焊带根据预设图案放置于光伏电池片表面,焊带与光伏电池形成初步粘接,对焊带施压并进行紫外光固化处理,使焊带与光伏电池片固定形成欧姆接触,得到光伏电池串;
当所述胶黏剂为光固化胶黏剂时,所述固化处理为紫外光固化处理;当所述胶黏剂为热固化胶黏剂时,所述固化处理为热固化处理。
进一步地,步骤(1)中,所述的粘度为胶黏剂在25±2℃温度下的粘度值。将胶黏剂的粘度控制合适的区间,一方面使焊带表面过多的胶黏剂在重力作用下可以自动掉落,同时使形成的胶黏层易于刮除;若粘度过大,则胶黏层厚度不易控制,若粘度过低,胶黏剂难以均匀包覆在焊带表面,从而无法使焊带与光伏电池形成初步粘接。
进一步地,步骤(1)中,所述胶黏剂处理装置通过浸渍、刮胶、喷涂、静电吸附、转移上胶或丝网印刷的方式,将胶黏剂附着在焊带上得到胶黏剂包覆的焊带。
在一些优选的实施例中,所述胶黏剂处理装置为胶黏剂料池,当焊带在拉引装置的作用下经过胶黏剂料池,胶黏剂粘附在焊带表面。
进一步地,步骤(1)中,所述胶黏剂处理装置出口处设置有一个或多个可供焊带穿过的孔洞,所述孔洞用于控制焊带表面胶黏层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的