[发明专利]MOM电容结构及其制备方法、存储器在审
| 申请号： | 202310182628.7 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116093085A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 廖黎明;仇峰;张蔷;王帅 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mom 电容 结构 及其 制备 方法 存储器 | ||
1.一种MOM电容结构，其特征在于，包括：
至少一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；
至少一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的MOM电容结构，其特征在于，所述第一电极层为多层，所述第二电极层为多层，且所述第一电极层和所述第二电极层交替设置。
3.根据权利要求1所述的MOM电容结构，其特征在于，
所述第一电极层中的两插指结构电极板的电势不同；
所述第二电极层中的两插指结构电极板的电势不同。
4.根据权利要求1所述的MOM电容结构，其特征在于，每一所述插指结构电极板包括多个指状条和连接多个指状条的汇总条。
5.根据权利要求1所述的MOM电容结构，其特征在于，所述MOM电容结构还包括：
第一绝缘层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层中；
第二绝缘层，所述第二电极层位于所述第二绝缘层中，且所述第二电极层通过所述第二绝缘层或者所述第一绝缘层与所述第一电极层绝缘。
6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一电极层与第二电极层的材料为金属。
7.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的MOM电容结构。
8.一种MOM电容结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基底；
于所述基底上形成一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；以及
于所述基底上形成一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
9.根据权利要求7所述的的方法，其特征在于，所述第一电极层为多层，所述第二电极层为多层，且所述第一电极层和所述第二电极层交替设置。
10.根据权利要求7所述的的方法，其特征在于，所述方法还包括：
于所述基底上形成第一绝缘层，所述第一电极层形成于所述第一绝缘层中；以及
于所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二电极层形成于所述第二绝缘层中，且所述第二电极层通过所述第二绝缘层或者所述第一绝缘层与所述第一电极层绝缘。
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