[发明专利]MOM电容结构及其制备方法、存储器

说明书

本发明提供一种MOM电容结构及其制备方法、存储器。所述MOM电容结构包括：至少一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；至少一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。通过将所述第一电极层与所述第二电极层设置为互相垂直结构，减少金属层工艺时金属线的重叠度飘动带来的电容值影响，使电容值更加稳定，提高工艺良品率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种MOM电容结构及其制备方法、存储器。

背景技术

随着半导体集成电路的制造技术不断进步，半导体器件性能不断提升。电容结构是集成电路的重要组成单元，如金属-氧化物-金属(Metal Oxid Metal，简称MOM)电容是集成电容中常用的电容结构。MOM电容结构是通过后段金属层作为极板而产生的寄生电容，电容的来源主要有横向同层之间和纵向相邻两层之间。由于MOM电容具有耐压高、成本低(不需要额外光罩和工艺)和占用面积小(可叠层)等特点，因此常被芯片设计者使用。

请参阅图1～图2，其中，图1所示为现有技术中MOM电容结构的结构示意图，图2所示为沿图1中AA’方向的剖面图。如图1～图2所示，所述MOM电容包括下电极层11及上电极层12两层插指结构。由于其上下电极层有交叠，电容值受工艺过程中覆盖(Overlay)重叠度的影响较大，导致MOM电容的电容值不稳定，影响器件性能。

因此，减小工艺对电容值的影响，提高电容值的稳定性，是当下需要解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是减小工艺对电容值的影响，提高电容值的稳定性，提供一种MOM电容结构及其制备方法、存储器。

为了解决上述问题，本发明提供了一种MOM电容结构，包括：至少一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；至少一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

在一些具体实施方式中，所述第一电极层为多层，所述第二电极层为多层，且所述第一电极层和所述第二电极层交替设置。

在一些具体实施方式中，所述第一电极层中的两插指结构电极板的电势不同；所述第二电极层中的两插指结构电极板的电势不同。

在一些具体实施方式中，每一所述插指结构电极板包括多个指状条和连接多个指状条的汇总条。

在一些具体实施方式中，所述MOM电容结构还包括：第一绝缘层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层中；第二绝缘层，所述第二电极层位于所述第二绝缘层中，且所述第二电极层通过所述第二绝缘层或者所述第一绝缘层与所述第一电极层绝缘。

在一些具体实施方式中，所述第一电极层与第二电极层的材料为金属。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器，包括本发明所述的MOM电容结构。

为了解决上述问题，本发明提供了一种MOM电容结构的制备方法，包括如下步骤：提供一基底；于所述基底上形成一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；以及于所述基底上形成一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

在一些具体实施方式中，所述第一电极层为多层，所述第二电极层为多层，且所述第一电极层和所述第二电极层交替设置。