[发明专利]一种雾化芯片及电子烟

权利要求书

1.一种雾化芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括多孔区域和边缘区域，所述多孔区域包括分布均匀的多个通孔；

加热层，位于所述基底的一侧，且所述加热层覆盖所述基底除所述通孔之外的区域；

接触电极，位于所述加热层远离所述基底一侧，且设置于所述加热层位于所述边缘区域的区域；

绝缘层，位于所述加热层远离所述基底的一侧，所述绝缘层设置在所述加热层未设置所述接触电极的区域，且所述绝缘层覆盖所述加热层远离所述基底的表面以及与所述通孔的侧壁平行的表面。

2.根据权利要求1所述的雾化芯片，其特征在于，所述加热层的材料包括氮化钽铝、镍铬合金、钨和钴中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的雾化芯片，其特征在于，

在所述氮化钽铝中，钽的比例为20％-80％，铝的比例为0％-70％，氮的比例为15％-40％；

在所述镍铬合金中，镍的比例为10％-90％，铬的比例为10％-90％。

4.根据权利要求2所述的雾化芯片，其特征在于，所述加热层的厚度为0.1-5μm。

5.根据权利要求1所述的雾化芯片，其特征在于，所述通孔的孔径为1-5μm。

6.根据权利要求5所述的雾化芯片，其特征在于，所述多孔区域的孔间距与孔径的比值范围在1-2之间。

7.根据权利要求1所述的雾化芯片，其特征在于，所述基底材料包括硅、玻璃、氧化硅和陶瓷中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的雾化芯片，其特征在于，所述绝缘层向所述通孔内延伸，且覆盖所述通孔的侧壁的部分区域。

9.根据权利要求1所述的雾化芯片，其特征在于，所述接触电极的材料为金或者铝铜镍钯金的多层合金；

所述绝缘层的材料包括多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、陶瓷和复合材料中的至少一种。

10.一种电子烟，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的雾化芯片。