[发明专利]等离子体调节装置及半导体刻蚀设备

说明书

本申请实施例提供一种等离子体调节装置及半导体刻蚀设备，等离子调节装置包括腔体、第一电极、第二电极、约束环和驱动机构；腔体的顶壁设置有第一通孔，腔体的底壁设置有第二通孔；所述第一电极固定安装于所述腔体内，所述第一电极位于晶片下方；所述第二电极位于所述腔体的上方，所述第二电极暴露于所述第一通孔内的部分与所述第一电极相对，所述第二电极与所述腔体固定连接；约束环套设于第一电极外侧，可相对第一电极滑动；驱动机构位于腔体的下方，穿设于第二通孔内与约束环连接，驱动约束环相对第一电极滑动，以对等离子体的体积进行调节。该等离子体调节装置能够避免驱动机构产生的微小颗粒掉落至晶片上，提高了半导体器件的良率。

技术领域

本申请涉及半导体刻蚀设备技术领域，特别涉及一种等离子体调节装置及半导体刻蚀设备。

背景技术

半导体刻蚀设备是一种用于对晶片进行刻蚀，以制作半导体器件的加工设备。半导体刻蚀设备一般包括等离子体调节装置，等离子体调节装置用于形成对晶片进行刻蚀的等离子体，且用于对等离子体的体积进行调节，以满足不同刻蚀工艺的要求。

相关技术中，等离子体调节装置通常包括腔体、第一电极、约束环、支撑筒、第二电极、移动环和驱动机构。第一电极固定设置于腔体内，约束环套设于第一电极的外侧，且与第一电极固定连接。支撑筒位于约束环上方，其一端与约束环连接，支撑筒设置有通孔。第二电极连接于支撑筒另一端，第二电极与第一电极相对。等离子体位于第二电极和第一电极之间。移动环位于支撑筒内，且位于第二电极和第一电极之间。驱动机构安装于第二电极的上方，经由通孔伸入支撑筒内与移动环连接。驱动机构驱动移动环在第二电极和第一电极之间移动，以对等离子体的体积进行调节。

然而，相关技术中的等离子体调节装置，在调节等离子体的体积的过程中，会产生微小颗粒，微小颗粒会掉落至晶片上，从而对晶片的加工产生影响，降低了半导体器件的良率。

发明内容

本申请实施例提供一种等离子体调节装置及半导体刻蚀设备，解决了相关技术中的等离子体调节装置会产生微小颗粒，微小颗粒掉落至晶片上降低了半导体器件的良率的技术问题。

本申请实施例的第一方面提供一种等离子体调节装置，包括腔体、第一电极、第二电极、约束环和驱动机构；所述腔体的顶壁设置有第一通孔，所述腔体的底壁设置有第二通孔；所述第一电极固定安装于所述腔体内，所述第一电极位于晶片下方；所述第二电极位于所述腔体的上方，所述第二电极与所述腔体固定连接，所述第二电极暴露于所述第一通孔内的部分与所述第一电极相对；所述第二电极与所述第一电极被配置为向所述腔体内注入反应气体，且向所述第一电极通入射频信号时，使所述反应气体在所述第二电极和所述第一电极之间形成等离子体；所述约束环位于所述腔体内，且套设于所述第一电极外侧，所述约束环可相对所述第一电极滑动，所述约束环用于对所述等离子体进行约束；所述驱动机构位于所述腔体的下方，且安装于所述腔体的底壁，部分所述驱动机构穿设于所述第二通孔内与所述约束环连接，所述驱动机构驱动所述约束环相对所述第一电极滑动，以对所述等离子体的体积进行调节。

本申请实施例的等离子体调节装置，晶片位于第一电极的上方，约束环套设于第一电极外侧，驱动机构位于腔体的下方，部分驱动机构经由设置于腔体的底壁的第二通孔伸入腔体内，以与约束环连接。由于驱动机构位于腔体的下方，则驱动机构位于第一电极及晶片的下方。在对等离子体的体积进行调节时，位于晶片下方的驱动机构驱动约束环相对第一电极滑动时，即使驱动机构产生微小颗粒，微小颗粒也不会掉落至晶片上，从而避免微小颗粒对晶片的加工产生影响，提高了半导体器件的良率。

在一种可能的实现方式中，所述驱动机构包括传动组件和驱动件，所述传动组件穿设于所述第二通孔内，且与所述约束环连接；所述驱动件安装于所述腔体的底壁，所述驱动件与所述传动组件连接。驱动件可通过传动组件驱动约束环相对第一电极滑动。由于驱动件通过传动组件与约束环连接，与驱动机构仅包括驱动件相比，可通过传动组件对驱动件的位置进行调整，使得驱动件可安装于腔体的底壁上，从而优化了驱动机构的结构。