[发明专利]一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED，其特征在于，所述可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED包括：

透明基底以及依次位于所述透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极；

其中，所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成；

所述无注入型多层量子点AC-QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节。

2.一种上述权利要求1所述的可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S1、在清洁处理后的透明基底上依次旋涂制备绝缘材料和空穴产生层；

S2、将量子点溶液滴入溶剂B的表面，静置至量子点溶液中的溶剂A挥发，在溶剂B表面获得量子点膜层；所述量子点溶液由量子点材料溶解于溶剂A中得到；

S3、将量子点膜层从溶剂B表面转移到执行了步骤S1的透明基底上，获得量子点薄膜；

S4、多次重复执行步骤S2和S3，获得多层量子点薄膜体；

S5、在多层量子点薄膜体上进一步制备电子产生层、绝缘层以及电极，获得可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED；

其中，所述溶剂A的表面张力小于所述溶剂B的表面张力，且所述量子点材料不溶解于溶剂B。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述量子点材料为纯量子点材料或纯量子点材料和有机材料的混合材料；

所述溶剂A为辛烷与氯苯的混合溶剂，所述辛烷与氯苯的质量比为1：1；

所述溶剂B为水。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述转移包括：借助所述透明基底与所述量子点膜层的分子间作用力，将溶剂B表面的量子点薄膜压印转移到所述透明基底的空穴产生层之上。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，将量子点膜层从溶剂B表面转移到执行了步骤S1的透明基底上之后，所述方法还包括：在100℃条件下进行退火处理5min。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述多次重复执行步骤S2和S3包括：

选择相同的量子点溶液重复执行步骤S2和S3，将量子点膜层加厚；或选择不同的量子点溶液重复执行步骤S2和S3，添加不同种类的量子点膜层。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S5包括：在所述多层量子点薄膜之上依次旋涂电子产生层、绝缘层，并蒸镀电极，获得可调颜色的多层量子点AC-QLED。

8.根据权利要求2-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述透明基底为硬质基底或柔性基底；

所述硬质基底为玻璃、二氧化硅或石英；

所述柔性基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

9.根据权利要求3-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述纯量子点材料为镉系量子点或其他不溶于溶剂B的量子点材料；

所述有机材料为TPBI、PFN、MEH-PPV、TmPyPb或PMMA。

10.根据权利要求2-7任一所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述清洁处理包括：

S11、将透明基底分别通过含有洗片液、去离子水和无水乙醇的超声波清洗仪进行超声波清洗，去除透明基底上的有机物和灰尘；

S12、对完成超声波清洗后的所述透明基底进行氮气吹干处理，去除透明基底上残留的有机溶剂和灰尘。