[发明专利]一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法在审
申请号: | 202310188638.1 | 申请日: | 2023-02-21 |
公开(公告)号: | CN116096117A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 赵谡玲;赵泽邦;乔泊;宋丹丹;徐征;梁志琴 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K50/11;H10K71/12;H10K71/15 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苟冬梅 |
地址: | 100044 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可调 颜色 注入 多层 量子 ac qled 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED及其制备方法,所述可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED包括:透明基底以及依次位于所述透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极;其中,所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成;所述无注入型多层量子点AC‑QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节。本发明在传统AC‑QLED结构基础上,向AC‑QLED的绝缘层中间添加电子产生层和空穴产生层。在交流电场的驱动下,载流子从电子产生层和空穴产生层中产生并注入到量子点膜层中复合发光。相比传统的AC‑QLED而言,本发明提供的AC‑QLED器件内的载流子浓度大大提升,因此器件的发光效率得到了明显的提升。
技术领域
本发明涉及显示照明技术领域,特别涉及一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法。
背景技术
为满足人们对于显示产品在色彩饱和度上较高的要求以及迎合喷墨打印、转印法等先进产业化生产方式,近年来量子点(Quantum dot,QD)材料及量子点电致发光二极管技术—QLED(Quantum dot light-emitting diode)被学术界、显示行业广泛研究。QLED与其他类型的电致发光器件相比,具有发射波长可调、半高宽窄、量子效率高和色纯度高的优势。
对于传统的QLED,电致发光是在直流驱动电压下产生的,即外部电极持续注入电子和空穴到达QD层中并形成辐射。然而,在高直流电流密度下QLED内部容易形成电荷积聚,从而对功能层进行破坏,进而导致发光器件的寿命降低和发光效率下降。同时,直流型QLED额外需要将交流电转换为直流电的转换器和整流器,这会造成功率损耗的提高,设备集成度的降低,以及产品加工成本的提高。交流型QLED(Altering current QLED,AC-QLED)有望解决上述问题。这是因为AC-QLED的驱动信号为交变信号,在交变电场下器件内部的电子和空穴不停地复合发光再分离,从而阻止了电荷在某个区域的长期积累,有望提高器件的寿命和发光效率。并且AC-QLED可以直接用交流电驱动,不需要额外集成交流电转换器和整流器,降低了产品成本。
无注入型发光器件是一种没有外部载流子注入器件内部的量子点发光器件,其依靠材料内部固有载流子的周期性振荡实现周期性光输出。无注入型AC-QLED通常采用在电极和功能材料层之间增设绝缘层来阻挡外部电子和空穴的注入。在绝缘层的保护下,无注入型AC-QLED能在空气中稳定使用,这不仅省去了封装器件所需要的时间和成本,也使得器件的结构再次被简化。但是,由于没有外部载流子的注入,仅依靠材料内部固有载流子的周期性振荡实现周期性光输出,使得AC-QLED内部的载流子浓度较低,器件发光效率较低。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,本发明提供一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法。具体发明内容如下:
第一方面,本发明提供一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED,所述可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED包括:
透明基底以及依次位于透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极;
其中,所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成;
所述无注入型多层量子点AC-QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节。
第二方面,本发明提供一种上述第一方面所述的可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
S1、在清洁处理后的透明基底上依次旋涂制备绝缘材料和空穴产生层;
S2、将量子点溶液滴入溶剂B的表面,静置至量子点溶液中的溶剂A挥发,在溶剂B表面获得量子点膜层;所述量子点溶液由量子点材料溶解于溶剂A中得到;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学,未经北京交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310188638.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。