[发明专利]基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置在审
申请号: | 202310194884.8 | 申请日: | 2023-02-24 |
公开(公告)号: | CN116466204A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 陈承静;柴俊标;卜建明;贺庭玉;廖剑;余亮 | 申请(专利权)人: | 杭州中安电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 杭州浙言专利代理事务所(普通合伙) 33370 | 代理人: | 胡勇康 |
地址: | 311123 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 gan 器件 dhtol 试验 测试 方法 装置 | ||
1.基于GaN器件DHTOL试验测试装置,包括控制端,其特征在于,还包括VDS采样模块、VD漏电流测试模块和IM恒流模块;控制端用于提供PWM波至测试GaN器件的G端;VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降,VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Idss;恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。
2.基于GaN器件DHTOL试验测试装置,包括控制端,其特征在于,还包括VDS采样模块、VD漏电流测试模块、IM恒流模块、动态PWM波模块和VG控制模块;动态PWM波模块获取控制端的PWM波信号,通过VG控制模块对PWM波信号进行控制,并将控制后的信号至测试GaN器件的G端,VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降;VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Idss;恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。
3.根据权利要求1或2所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,还包括VD直流电源、继电器SW1和继电器SW2,VD直流电源用于提供直流电源进线测试,当继电器SW2接通VD直流电源及IM恒流模块则进行测试GaN器件的导通电阻测试,当继电器SW3接通VD直流电源及VD漏电流测试模块则进行测试GaN器件的导通电阻测试则进行测试GaN器件的漏电流测试。
4.根据权利要求1或2所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,其特征在于,还包括限流模块,限流模块一端与测试GaN器件的D端连接,另一端与VD直流电源连接,用于对动态老化电流进行保护。
5.根据权利要求1或2所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,其特征在于,IM恒流模块包括运放控制模块、压降调节模块和输出保护模块;运放控制模块用于接收输入的电流,并对输入的电流进行控制传送至压降调节模块,压降调节模块用于调节运放控制端输出的电流,并将输出的电流反馈至运放控制模块,通过运放控制模块输出电流至输出保护模块,输出保护模块用于对输出的电流进行保护。
6.根据权利要求1或2所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,其特征在于,VD漏电流测试模块包括ADC模块和隔离模块;ADC模块用于漏电流的采样,并将采样的漏电流传送至隔离模块,隔离模块通过隔离采样的方式将采样的漏电流与控制端进行通讯。
7.根据权利要求6所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,其特征在于,隔离模块包括光电耦合器和DC/DC隔离单元,通过光电耦合器与控制端进行通讯,DC/DC隔离单元用于对VD漏电流测试模块进行供电。
8.根据权利要求4所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置,其特征在于,限流模块为电感或电阻。
9.基于GaN器件DHTOL试验测试方法,其特征在于,通过权利要求1-8任一所述的基于GaN器件DHTOL试验测试装置实现的方法包括:
控制端发送测试命令至测试GaN器件,测试命令包括老化测试命令;
测试GaN器件的老化,提供动态PWM控制信号及VD电压信号至测试GaN器件进行测试GaN器件的老化;
测试GaN器件的漏电流测试,对于测试GaN器件老化测试后,通过漏电流测试模块进行测试GaN器件的漏电流测试;
测试GaN器件的导通电阻测试,对于测试GaN器件漏电流测试后,通过IM恒流模块进行测试GaN器件的导通电阻测试。
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