[发明专利]基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置

说明书

本发明涉及GaN器件测试技术，公开了基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置，其包括包括控制端，VDS采样模块、VD漏电流测试模块和IM恒流模块；控制端用于提供PWM波至测试GaN器件的G端；VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降；VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Idss；恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。本发明在动态试验中，可快速对GaN器件的性能进行测试，如反向漏电流IDSS,导通电阻RDson,导通Ig电流。可以很好的反应出器件的动态老化特征。

技术领域

本发明涉及GaN器件测试技术，尤其涉及了基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置。

背景技术

现有技术中，对于GAN器件老化实验大部分采用静态电应力老化，如高温反偏和高温栅偏，只监测电压和漏电流参数，只在实验开始或者结束时进行离线测试，且不能很好的反映GAN器件的实际工作情况。

如现有技术CN201110236597.6，一种对GaN 基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其通过静态电应力老化进行测试。

如现有技术CN202210337482.4，一种GaN功率器件动态应力老化试验方法和系统，在动态老化中，只是简单的加载动态的电应力，器件的一些参数需结束老化后再离线测试，不能很好的反映器件的动态特征。

发明内容

本发明针对现有技术中不能很好的实时检测GaN器件的状态的问题，提供了基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置。

为了解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案得以解决：

基于GaN器件DHTOL试验测试装置，包括控制端，其还包括VDS采样模块、VD漏电流测试模块和IM恒流模块；控制端用于提供PWM波至测试GaN器件的G端；VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降；VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Ids；恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。

为了解决上述技术问题，本发明还提供了基于GaN器件DHTOL试验测试装置，包括控制端，其还包括VDS采样模块、VD漏电流测试模块、IM恒流模块、动态PWM波模块和VG控制模块；动态PWM波模块获取控制端的PWM波信号，通过VG控制模块对PWM波信号进行控制，并将控制后的信号至测试GaN器件的G端，VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降；VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Ids；恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。

作为优选，还包括VD直流电源、继电器SW1和继电器SW2，VD直流电源用于提供直流电源进线测试，当继电器SW2接通IM恒流模块则进行测试GaN器件的导通电阻测试，当继电器SW3接通VD直流电源及VD漏电流测试模块则进行测试GaN器件的导通电阻测试则进行测试GaN器件的漏电流测试。

作为优选，还包括限流模块，限流模块一端与测试GaN器件的D端连接，另一端与VD直流电源连接，用于对动态老化电流进行保护。

作为优选，IM恒流模块包括运放控制模块、压降调节模块和输出保护模块；运放控制模块用于接收输入的电流，并对输入的电流进行控制传送至压降调节模块，压降调节模块用于调节运放控制端输出的电流，并将输出的电流反馈至运放控制模块，通过运放控制模块输出电流至输出保护模块，输出保护模块用于对输出的电流进行保护。

作为优选，VD漏电流测试模块包括ADC模块和隔离模块；ADC模块用于漏电流的采样，并将采样的漏电流传送至隔离模块，隔离模块通过隔离采样的方式将采样的漏电流与控制端进行通讯。

作为优选，隔离模块包括光电耦合器和DC/DC隔离单元，通过光电耦合器与控制端进行通讯，DC/DC隔离单元用于对VD漏电流测试模块进行供电。

作为优选，限流模块为电感或电阻。