[发明专利]一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，包括：芯片本体（1）、上散热器（2）、下散热器（3），芯片本体（1）上端设置有上散热器（2），芯片本体（1）下端设置有下散热器（3），上散热器（2）与下散热器（3）通过塑封壳（4）封装，上散热器（2）与下散热器（3）延伸出塑封壳（4）之外；

上散热器（2）上设置有壳体（14），壳体（14）顶端设置有储液箱（15），储液箱（15）内壁顶部设置有海绵垫（16），海绵垫（16）与储液箱（15）通过输液孔（17）连通，上散热器（2）顶端设置有底座（18），底座（18）上设置有圆盘（19），圆盘（19）顶端设置有圆环（20），圆环（20）上间隔设置有三个齿槽（21），圆盘（19）的周向外壁与支撑柱（22）一端连接，支撑柱（22）另一端与竖直方向的弹性拨杆（23）一端连接，弹性拨杆（23）另一端向上。

2.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，下散热器（3）上端设置有基岛（5），基岛（5）与芯片本体（1）下表面通过第一装片胶（6）粘接，芯片本体（1）上表面通过第二装片胶（7）与芯片连接柱（8）一端连接，芯片连接柱（8）另一端与上散热器（2）连接。

3.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，引线（9）一端与芯片本体（1）电性连接，引线（9）另一端与管脚（10）一端电性连接，管脚（10）另一端延伸出塑封壳（4）之外。

4.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，上散热器（2）与基岛（5）通过基岛连接柱（11）连接，基岛连接柱（11）的连接区域采用高导热性胶或者锡膏。

5.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，上散热器（2）两侧设置有凸块（12），塑封壳（4）上设置有凹洞（13），凸块（12）安装在凹洞（13）内。

6.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，圆盘（19）顶端圆心处设置有第一电机（24），第一电机（24）输出轴与转块（25）底端连接，转轴（26）一端与转块（25）侧壁转动连接，转轴（26）另一端穿过转盘（27）与风板（28）连接，转轴（26）与转盘（27）同轴连接，转盘（27）的周向外壁上设置有六个齿牙（29），齿牙（29）能与齿槽（21）配合，其中的两个齿牙（29）上设置有拨柱（30），弹性拨杆（23）能与拨柱（30）接触，风板（28）的上下两端设置有扫刷（31）。

7.根据权利要求1所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，壳体（14）外壁上设置有两个散热口（32），散热口（32）上设置有滤尘网（33），壳体（14）外壁上设置有机壳（34），机壳（34）内壁上设置有第二电机（35），第二电机（35）输出轴与曲柄（36）一端连接，曲柄（36）另一端与连杆（37）一端转动连接，连杆（37）另一端与摆杆（38）铰接，摆杆（38）一端与机壳（34）内壁铰接，摆杆（38）另一端与弧形滑槽体（39）中间处连接，弧形滑槽体（39）两端与斜槽体（40）连通。

8.根据权利要求7所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，机壳（34）内设置有水平方向的滑轨（41），滑轨（41）上滑动连接有滑杆（42），滑杆（42）上设置有滑柱（43），滑柱（43）能在弧形滑槽体（39）、斜槽体（40）内滑动，连接杆（44）一端与滑杆（42）连接，机壳（34）顶端设置有开口（45），连接杆（44）另一端穿过开口（45）与清洁刷（46）连接，清洁刷（46）位于两个滤尘网（33）之间。

9.一种制备方法，适用于权利要求1至8任一项所述的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、制备引线框架，形成基岛、下散热器与管脚；

步骤二、在基岛预设装片区域涂抹装片胶，并在装片胶上表面安装芯片，将芯片通过连接线与管脚连接；

步骤三、在芯片上表面与基岛预设连接柱连接区域涂抹胶水，并在胶水上表面安装连接柱，完成上散热器与框架的连接，制成整条框架待塑封体；

步骤四、将整条框架待塑封体放置塑封装置内进行塑封，制成整条框架塑封体，之后将塑封体外漏散热器部分溢胶进行研磨，使上散热器露出部分与外界环境接触；

步骤五、通过切割分离使整条框架塑封体分离成单颗塑封体，完成单颗产品的制备。