[发明专利]一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法有效
申请号: | 202310199877.7 | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN116072629B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 豆保亮;曹周;陈勇;蔡择贤;李佛琳;黄炜源;张怡;郑雪平 | 申请(专利权)人: | 广东气派科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373 |
代理公司: | 广东柏权维知识产权代理有限公司 44898 | 代理人: | 娄静丽 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 射频 器件 增强 散热 封装 结构 制备 方法 | ||
本发明的一种大功率射频器件增强散热的封装结构,包括:芯片本体、上散热器、下散热器,芯片本体上端设置有上散热器,芯片本体下端设置有下散热器,上散热器与下散热器通过塑封壳封装,上散热器与下散热器延伸出塑封壳之外。芯片工作产生的热量通过上下散热器传出,散热效率大大提升。多个芯片连接柱可以适用多颗芯片封装,同时粘接胶选用高导热性绝缘胶增加对不同类型芯片的适用性。凸起设计增加散热器与塑封料的结合度,同时减少外界湿气对芯片的腐蚀增加封装电气隔离,使芯片可靠性大大提升。连接柱与散热器选用铜材料、铜‑石墨烯复合材料或者石墨烯材料,相比于塑封材料其导热性能大大提升。
技术领域
本发明属于集成电路封装技术领域,具体涉及一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法。
背景技术
目前针对大功率射频器件,市面上多采用陶瓷封装,但是陶瓷封装成本较高,所以各研究机构都在研究使用塑料封装代替陶瓷封装,塑料封装成本较低,利于5G应用的大规模推广。而塑封料的导热性不如陶瓷材料,因此提升塑料封装的大功率射频器件的散热能力是有必要的。
公开号为CN113972201A的专利,公开了一种大功率射频器件的封装结构,包括多个并联的射频功率芯片和封装法兰,所述多个射频功率芯片倾斜设置在封装法兰的封装内腔内,减少射频功率芯片的输入引线数量,使得输入引线和输出引线在空间上不交叠。多颗芯片倾斜排列在封装法兰上,显著提高了封装空间利用率,达到更大功率输出目的。通过少量减少中间射频功率芯片的输入引线数量,可以使输出引线不会有减少,可以保障大功率应用过程的可靠性,而且避免了输入引线和输出引线在空间上的大面积交叠,降低互感有效避免射频功率器件发生震荡。
但是,上述专利在实际使用过程中存在以下不足,由于存在多个并联的射频功率芯片,大功率射频器件会产生较高功耗,功耗将以热量耗散,如果不能将热量及时散发出去,会造成芯片因结温过高而失效。
发明内容
因此,本发明要解决现有技术中由于存在多个并联的射频功率芯片,大功率射频器件会产生较高功耗,功耗将以热量耗散,如果不能将热量及时散发出去,会造成芯片因结温过高而失效的问题。
为此,采用的技术方案是,本发明的一种大功率射频器件增强散热的封装结构,包括:芯片本体、上散热器、下散热器,芯片本体上端设置有上散热器,芯片本体下端设置有下散热器,上散热器与下散热器通过塑封壳封装,上散热器与下散热器延伸出塑封壳之外。
优选的,下散热器上端设置有基岛,基岛与芯片本体下表面通过第一装片胶粘接,芯片本体上表面通过第二装片胶与芯片连接柱一端连接,芯片连接柱另一端与上散热器连接。
优选的,引线一端与芯片本体电性连接,引线另一端与管脚一端电性连接,管脚另一端延伸出塑封壳之外。
优选的,上散热器与基岛通过基岛连接柱连接,基岛连接柱的连接区域采用高导热性胶或者锡膏。
优选的,上散热器两侧设置有凸块,塑封壳上设置有凹洞,凸块安装在凹洞内。
优选的,上散热器上设置有壳体,壳体顶端设置有储液箱,储液箱内壁顶部设置有海绵垫,海绵垫与储液箱通过输液孔连通,上散热器顶端设置有底座,底座上设置有圆盘,圆盘顶端设置有圆环,圆环上间隔设置有三个齿槽,圆盘的周向外壁与支撑柱一端连接,支撑柱另一端与竖直方向的弹性拨杆一端连接,弹性拨杆另一端向上。
优选的,圆盘顶端圆心处设置有第一电机,第一电机输出轴与转块底端连接,转轴一端与转块侧壁转动连接,转轴另一端穿过转盘与风板连接,转轴与转盘同轴连接,转盘的周向外壁上设置有六个齿牙,齿牙能与齿槽配合,其中的两个齿牙上设置有拨柱,弹性拨杆能与拨柱接触,风板的上下两端设置有扫刷。
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