[发明专利]晶圆涂胶方法在审
申请号: | 202310200923.0 | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN116068857A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 张祥平;林士程;古哲安;李海峰 | 申请(专利权)人: | 合肥新晶集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周旋 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂胶 方法 | ||
1.一种晶圆涂胶方法,其特征在于,所述晶圆涂胶方法包括:
将晶圆放置于反应腔内;
对所述晶圆进行至少两个阶段的喷胶;
其中,奇数个阶段中,所述晶圆的转速为第一转速,所述反应腔的排气压力第一压力;偶数个阶段中,所述晶圆的转速为第二转速,所述反应腔的排气压力为第二压力;所述第一转速大于所述第二转速,所述第一压力大于所述第二压力。
2.根据权利要求1所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述第一转速为所述第二转速的3倍~5倍。
3.根据权利要求1所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述第一压力为所述第二压力的3.5倍~6.5倍。
4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述阶段的数量为奇数。
5.根据权利要求4所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,最后一个阶段的持续时间大于其它阶段的持续时间。
6.根据权利要求4所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述晶圆涂胶方法还包括:
在喷胶前,控制所述晶圆的转速为所述第二转速,所述反应腔的排气压力为所述第二压力,于所述晶圆的表面涂布一层光刻胶稀释剂。
7.根据权利要求4所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述晶圆涂胶方法还包括:
在喷胶后,控制所述晶圆的转速为所述第二转速,所述反应腔的排气压力为所述第二压力,对所述晶圆进行匀胶。
8.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述方法应用于涂胶设备,所述涂胶设备包括反应腔、承载台和胶管,所述承载台可旋转地设置于所述反应腔内,所述胶管延伸至所述反应腔内且位于所述承载台的上方,所述反应腔的顶部朝向所述承载台的区域设有进气口,所述反应腔的底部位于所述承载台的外侧设有排气口。
9.根据权利要求8所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,所述胶管在喷胶时一端正对所述晶圆的中心,并在喷胶后位于所述反应腔的一侧。
10.根据权利要求9所述的晶圆涂胶方法,其特征在于,排气的气体从所述反应腔的顶部正对所述晶圆的中心区域的位置通入所述反应腔,并从所述晶圆的边缘流向所述反应腔的底部。
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