[发明专利]晶圆涂胶方法

说明书

本申请涉及一种晶圆涂胶方法，该方法包括：将晶圆放置于反应腔内；对晶圆进行至少两个阶段的喷胶；其中，奇数个阶段中，晶圆的转速为第一转速，反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，晶圆的转速为第二转速，反应腔的排气压力为第二压力；第一转速大于第二转速，第一压力大于第二压力。在晶圆涂胶过程中，通过设置相邻两个阶段晶圆的转速和反应腔的排气压力不同，能够在相邻的两个阶段分别将光刻胶累积在晶圆的中心处和边缘处，保证晶圆中心处和边缘处都能均匀涂覆上光刻胶，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，并且无需增加RRC的用量，因此不会增加生产成本。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆涂胶方法。

背景技术

在半导体器件制造过程中，光刻胶涂敷工艺常采用旋涂胶法，具体是指将晶圆放入涂胶装置中，涂胶装置在晶圆上滴落定量的光刻胶，同时旋转承载晶圆的装载盘。通过高速旋转时产生的离心力将光刻胶均匀地分布在晶圆上，多余的胶被甩出晶圆之外。但是由于光刻胶的粘滞系数过高，光刻胶旋涂在晶圆表面上时，光刻胶不易推到晶圆边缘，使得晶圆边缘的涂胶效果不佳，从而晶圆表面上的光刻胶的均匀性较差。

相关技术中，通常在光刻胶中加入光刻胶稀释剂(英文：Reduced ResistConsumption，简称：RRC)，并相应增加光刻胶的用量。由于RRC的主要成分与光刻胶中的溶剂成分一致，因此RRC的加入可以改善光刻胶的流动性，推进光刻胶向晶圆边缘扩展，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性。

然而，利用光刻胶中加入光刻胶稀释剂的方法改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，往往增加了生产成本。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善晶圆表面的光刻胶的均匀性并同时不增加生产成本的晶圆涂胶方法。

为了实现上述目的，本申请提供了一种晶圆涂胶方法。

一种晶圆涂胶方法，所述晶圆涂胶方法包括：

将晶圆放置于反应腔内；

对所述晶圆进行至少两个阶段的喷胶；

其中，奇数个阶段中，所述晶圆的转速为第一转速，所述反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，所述晶圆的转速为第二转速，所述反应腔的排气压力为第二压力；所述第一转速大于所述第二转速，所述第一压力大于所述第二压力。

在其中一个实施例中，所述第一转速为所述第二转速的3倍～5倍。

在其中一个实施例中，所述第一压力为所述第二压力的3.5倍～6.5倍。

在其中一个实施例中，所述阶段的数量为奇数。

在其中一个实施例中，最后一个阶段的持续时间大于其它阶段的持续时间。

在其中一个实施例中，所述晶圆涂胶方法还包括：

在喷胶前，控制所述晶圆的转速为所述第二转速，所述反应腔的排气压力为所述第二压力，于所述晶圆的表面涂布一层光刻胶稀释剂。

在其中一个实施例中，所述晶圆涂胶方法还包括：

在喷胶后，控制所述晶圆的转速为所述第二转速，所述反应腔的排气压力为所述第二压力，对所述晶圆进行匀胶。

在其中一个实施例中，所述方法应用于涂胶设备，所述涂胶设备包括反应腔、承载台和胶管，所述承载台可旋转地设置于所述反应腔内，所述胶管延伸至所述反应腔内且位于所述承载台的上方，所述反应腔的顶部朝向所述承载台的区域设有进气口，所述反应腔的底部位于所述承载台的外侧设有排气口。

在其中一个实施例中，所述胶管在喷胶时一端正对所述晶圆的中心，并在喷胶后位于所述反应腔的一侧。