[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

对衬底的第一器件区执行离子注入工艺；以及

执行第一光刻和蚀刻工艺，以同时在所述第一器件区中形成用于第一器件的第一源极/漏极凹槽，和在不同于所述第一器件区的第二器件区中形成用于第二器件的第二源极/漏极凹槽；

其中，所述第一源极/漏极凹槽的第一深度大于所述第二源极/漏极凹槽的第二深度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一源极/漏极凹槽内形成第一源极/漏极部件并且在所述第二源极/漏极凹槽内形成第二源极/漏极部件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺增加了所述第一器件的第一源极/漏极区的蚀刻速率。

4.一种制造半导体器件的方法，包括：

对存储器件区域或逻辑器件区域执行离子注入工艺以改变所述存储器件区域内的第一源极/漏极区域和所述逻辑器件区域内的第二源极/漏极区域中的一个的蚀刻速率；

蚀刻所述第一源极/漏极区以形成用于第一存储器件的第一源极/漏极凹槽，并且同时蚀刻所述第二源极/漏极区以形成用于第一逻辑器件的第二源极/漏极凹槽；以及

在所述第一源极/漏极凹槽内形成第一源极/漏极部件并且在所述第二源极/漏极凹槽内形成第二源极/漏极部件；

其中，所述第一源极/漏极部件的第一深度不同于所述第二源极/漏极部件的第二深度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，对所述存储器件区域执行所述离子注入工艺，并且降低所述第一源极/漏极区域的蚀刻速率。

6.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一器件区和第二器件区；

第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构设置在所述第一器件区中，所述第二栅极结构设置在所述第二器件区中；以及

第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件，所述第一源极/漏极部件与所述第一栅极结构相邻设置，所述第二源极/漏极部件与所述第二栅极结构相邻设置；

其中，所述第一源极/漏极部件的第一顶面与所述第二源极/漏极部件的第二顶面齐平；

其中，所述第一源极/漏极部件的第一底面与所述第一顶面相距第一距离；以及

其中，所述第二源极/漏极部件的第二底面与所述第二顶面相距第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一器件区包括静态随机存取存储器(SRAM)器件区，并且所述第二器件区包括片上系统(SOC)逻辑器件区。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件包括N型源极/漏极部件或P型源极/漏极部件。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极部件的第一宽度小于所述第二源极/漏极部件的第二宽度。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

第三源极/漏极部件，设置为与所述第一器件区中的第三栅极结构邻近；

其中，所述第三源极/漏极部件的第三顶面与所述第一顶面和所述第二顶面齐平；以及

其中，所述第三源极/漏极部件的第三底面与所述第三顶面相距第二距离。