[发明专利]一种声学传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种声学传感器，其特征在于，包括：

基底单元，所述基底单元包括自下而上依次层叠的第一硅层、第一氧化层以及第二硅层，所述基底单元内形成有背腔，所述背腔依次贯穿所述第一硅层以及所述第一氧化层，所述第二硅层经由所述背腔暴露；

第二氧化层，形成于所述基底单元上；

压电单元，形成于所述第二氧化层上，所述压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层；

狭缝，所述狭缝开设于所述第二电极层的中部，所述狭缝依次贯穿所述第二电极层、所述压电层、所述第一电极层、所述第二氧化层以及所述第二硅层，所述狭缝与所述背腔相连通；

开口，所述开口开设于所述第二电极层的边缘，所述开口依次贯穿所述第二电极层以及所述压电层，所述第一电极层经由所述开口暴露；

金属垫，所述金属垫层叠于所述开口处的所述第一电极层上；

附加膜层，包括第一部分以及第二部分，所述第一部分平铺于所述第二电极层上并覆盖于所述狭缝上，所述第二部分平铺于所述金属垫上，所述第二部分上形成有贯穿所述第二部分的通槽，所述金属垫与所述通槽的位置相对应，所述金属垫经由所述通槽暴露。

2.根据权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分具有高度差，所述第二部分位于所述第一部分的下方。

3.根据权利要求3所述的声学传感器，其特征在于，所述第一部分以及所述第二部分的厚度相同，所述第一部分以及所述第二部分内各处的厚度均保持一致。

4.根据权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，所述金属垫的厚度小于所述压电层的厚度。

5.根据权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，所述第二部分的底面与所述第一电极层的顶面之间具有间隙，所述第二部分的底面所处平面与所述压电层相交。

6.根据权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，所述附加膜层为感光薄膜。

7.一种声学传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底单元，所述基底单元包括自下而上依次层叠的第一硅层、第一氧化层以及第二硅层；

于所述第二硅层的顶部自下而上依次形成第二氧化层、第一电极层、压电层以及第二电极层；

于所述第二电极层的中部刻蚀形成狭缝以及于所述第二电极层的边缘刻蚀形成开口，所述狭缝依次贯穿所述第二电极层、所述压电层、所述第一电极层、所述第二氧化层以及所述第二硅层，所述开口依次贯穿所述第二电极层以及所述压电层，所述第一电极层经由所述开口暴露；于所述开口处的所述第一电极层上形成金属垫；

形成附加膜层，所述附加膜层的第一部分平铺于所述第二电极层上并覆盖于所述狭缝上，所述附加膜层的第二部分平铺于所述金属垫上，于所述第二部分上形成贯穿所述第二部分的通槽，所述金属垫与所述通槽的位置相对应，所述金属垫经由所述通槽暴露；

于所述第一硅层的底部刻蚀形成背腔，所述背腔依次贯穿所述第一硅层以及所述第一氧化层，所述第二硅层经由所述背腔暴露。

8.根据权利要求7所述的声学传感器的制备方法，其特征在于，所述附加膜层为感光薄膜。

9.根据权利要求8所述的声学传感器的制备方法，其特征在于，所述附加膜层通过辊压方式或热压方式成型。

10.根据权利要求8所述的声学传感器的制备方法，其特征在于，通过光刻工艺于所述第二部分形成所述通槽。