[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

多个半导体柱，所述半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，所述半导体柱在沿所述第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；

多条沿第四方向延伸的字线，所述字线与所述半导体柱的所述第二区连接，且在沿所述第四方向上，同一所述字线连接多个所述半导体柱；

多条沿第五方向延伸的位线，所述位线与所述半导体柱的所述第一区连接，且在沿所述第五方向上，同一所述位线连接多个所述半导体柱；

其中，在沿所述第四方向上所述半导体柱交替设置于所述字线的中心轴线的两侧，或者，在沿所述第五方向上所述半导体柱交替设置于所述位线的中心轴线的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第四方向上所述半导体柱交替设置于所述字线的中心轴线的两侧。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线与所述第二区的接触面积大于等于所述第二区表面积的1/4。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述字线环绕所述半导柱的所述第二区表面。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线穿过所述半导柱的所述第二区内。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第五方向上所述半导体柱交替设置于所述位线的中心轴线的两侧。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第三方向所在的平面上，所述半导体柱的正投影位于所述位线的正投影内。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第四方向与所述第五方向垂直，所述第一方向与所述第四方向的夹角为45°。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的夹角大于0°且小于90°，所述第四方向与所述第一方向垂直且所述第五方向与所述第一方向相同，或者所述第五方向与所述第一方向垂直且所述第四方向与所述第一方向相同。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

绝缘层，所述绝缘层填充满所述半导体柱、所述字线以及所述位线之间的间隙；

多个隔离间隙，所述隔离间隙位于所述绝缘层内，且沿所述第三方向延伸，在沿所述第一方向上，所述隔离间隙位于相邻的字线之间，且位于相邻的所述半导体柱之间。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

绝缘层，所述绝缘层填充满所述半导体柱、所述字线以及所述位线之间的间隙；

多个沿第四方向延伸的隔离间隙，所述隔离间隙位于所述绝缘层内，在沿所述第一方向上，所述隔离间隙位于相邻的所述字线之间，且位于相邻所述半导体柱之间。

12.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第三方向上，所述隔离间隙的高度与所述半导体柱的高度相等。

13.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第三方向上，所述隔离间隙的高度与所述第二区的高度相等。

14.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

基底，所述第一方向、所述第二方向、所述第四方向和所述第五方向均与所述基底表面平行，所述第三方向与所述基底表面垂直；

其中，所述半导体柱的所述第一区、所述第二区和所述第三区沿远离所述基底表面的方向排列，或者，所述半导体柱的所述第一区、所述第二区和所述第三区沿指向所述基底表面的方向排列。

15.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个半导体柱，所述半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，所述半导体柱在沿所述第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；

形成多条沿第四方向延伸的字线，所述字线与所述半导体柱的所述第二区连接，且在沿所述第四方向上，同一所述字线连接多个所述半导体柱；

形成多条沿第五方向延伸的位线，所述位线与所述半导体柱的所述第一区连接，且在沿所述第五方向上，同一所述位线连接多个所述半导体柱；

其中，在沿所述第四方向上所述半导体柱交替设置于所述字线的中心轴线的两侧，或者，在沿所述第五方向上所述半导体柱交替设置于所述位线的中心轴线的两侧。