[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第二区连接，且在沿第四方向上，同一字线连接多个半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，位线与半导体柱的第一区连接，且在沿第五方向上，同一位线连接多个半导体柱；其中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧，或者，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心轴线的两侧，以改善半导体结构的性能。

技术领域

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。

存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线结构相连、源极与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线结构能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。

目前，半导体结构的可靠性有待提高。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于提高半导体结构的性能。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第二区连接，且在沿第四方向上，同一字线连接多个半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，位线与半导体柱的第一区连接，且在沿第五方向上，同一位线连接多个半导体柱；其中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧，或者，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心轴线的两侧。

在一些实施例中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧。

在一些实施例中，字线与第二区的接触面积大于等于第二区表面积的1/4。

在一些实施例中，字线环绕半导柱的第二区表面。

在一些实施例中，字线穿过半导柱的第二区内。

在一些实施例中，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心轴线的两侧。

在一些实施例中，在垂直于第三方向所在的平面上，半导体柱的正投影位于位线的正投影内。

在一些实施例中，第一方向与第二方向垂直，且第四方向与第五方向垂直，第一方向与第四方向的夹角为45°。

在一些实施例中，第一方向与第二方向的夹角大于0°且小于90°，第四方向与第一方向垂直且第五方向与第一方向相同，或者第五方向与第一方向垂直且第四方向与第一方向相同。

在一些实施例中，半导体结构还包括：绝缘层，绝缘层填充满半导体柱、字线以及位线之间的间隙；多个隔离间隙，隔离间隙位于绝缘层内，且沿第三方向延伸，在沿第一方向上，隔离间隙位于相邻的字线之间，且位于相邻的半导体柱之间。

在一些实施例中，半导体结构还包括：绝缘层，绝缘层填充满半导体柱、字线以及位线之间的间隙；多个沿第四方向延伸的隔离间隙，隔离间隙位于绝缘层内，在沿第一方向上，隔离间隙位于相邻的字线之间，且位于相邻半导体柱之间。