[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202310224859.X | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN115954355B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宫本正文 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括在半导体衬底表面区域形成的NMOS晶体管和PMOS晶体管；并且，所述半导体器件还包括：
第一保护二极管，包括形成于所述半导体衬底内的p型阱区和在所述p型阱区内形成的n型掺杂区；以及
第二保护二极管，包括形成于所述半导体衬底内的n型阱区和在所述n型阱区内形成的p型掺杂区；
其中，所述NMOS晶体管具有第一栅极，所述第一栅极与构成所述第一保护二极管的n型掺杂区电连接，所述PMOS晶体管具有第二栅极，所述第二栅极与构成所述第二保护二极管的p型掺杂区电连接，并且，所述第二保护二极管的电流容量大于所述第一保护二极管的电流容量。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述p型掺杂区在所述半导体衬底表面的正投影面积大于所述n型掺杂区在所述半导体衬底表面的正投影面积。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述p型掺杂区的掺杂物浓度大于所述n型掺杂区的掺杂物浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述n型掺杂区和所述p型掺杂区中的掺杂物浓度大于等于1×1019/cm3且小于等于1×1021/cm3。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
第一接触电极，所述第一接触电极连接所述第一栅极与所述n型掺杂区。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
第二接触电极，所述第二接触电极连接所述第二栅极与所述p型掺杂区。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极延伸至所述n型掺杂区处而与所述n型掺杂区直接连接；和/或，所述第二栅极延伸至所述p型掺杂区处而与所述p型掺杂区直接连接。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述NMOS晶体管的源区和漏区形成于所述p型阱区内；和/或，所述PMOS晶体管的源区和漏区形成于所述n型阱区内。
9.如权利要求1至8任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为p型掺杂衬底。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
形成于所述半导体衬底内的n型深阱区，所述p型阱区形成于所述n型深阱区内，所述n型阱区形成于所述p型阱区内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
