[发明专利]对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及封装设备

权利要求书

1.对基材表面进行脱气的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、打开脱气腔；

S2、往所述脱气腔中送入多片基材；

S3、关闭所述脱气腔；

S4、在所述脱气腔内同时对多片所述基材进行脱气；

S5、打开所述脱气腔；

S6、将多片所述基材从所述脱气腔送出。

2.根据权利要求1所述的对基材表面进行脱气的方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述脱气腔内，沿所述基材的厚度方向保持多片所述基材。

3.根据权利要求1或2所述的对基材表面进行脱气的方法，其特征在于，在步骤S4中，分别从各所述基材的两侧表面对所述基材进行加热。

4.根据权利要求3所述的对基材表面进行脱气的方法，其特征在于，在步骤S4中，通过加热板从所述基材的下方对所述基材进行加热，通过加热气体从所述基材的上方对所述基材进行加热。

5.根据权利要求2所述的对基材表面进行脱气的方法，其特征在于，在步骤S6，与送入多片所述基材的顺序相同地，依次送出多片所述基材。

6.半导体器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

脱气步骤，对作为半导体器件的基材的表面进行脱气处理；

预清洗步骤，在所述脱气步骤之后，对所述基材的表面进行预清洗处理；

镀膜步骤，在所述预清洗步骤之后，对所述基材的表面进行镀膜处理；

其中，在所述脱气步骤中，采用权利要求1至5中任一项所述的对基材表面进行脱气的方法。

7.根据权利要求6所述的半导体器件封装方法，其特征在于，在所述脱气步骤和所述预清洗步骤之间，还包括：

冷却步骤，将从所述脱气腔中被送出的多片所述基材，沿所述基材的厚度方向进行存储，并对多片所述基材进行冷却。

8.封装设备，其特征在于，用于执行权利要求6所述的半导体器件封装方法，所述封装设备具有一个真空系统，所述真空系统内具有多个工艺腔以及传送腔，基材经由所述传送腔在多个所述工艺腔之间被传送，所述工艺腔当中，至少包括：

脱气腔，多片基材在所述脱气腔内同时被进行脱气处理；

预清洗腔，所述基材在所述预清洗腔内被进行预清洗处理；

镀膜腔，所述基材在所述镀膜腔内被进行镀膜处理。

9.根据权利要求8所述的封装设备，其特征在于，所述脱气腔包括多个。

10.根据权利要求8或9所述的封装设备，其特征在于，所述工艺腔当中还包括：冷却腔，所述冷却腔缓存从所述脱气腔中被送出的多片所述基材，并且，多片所述基材在所述冷却腔内被进行冷却处理。

11.根据权利要求10所述的封装设备，其特征在于，多个所述工艺腔围绕所述传送腔而呈圆形地排列。