[发明专利]对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及封装设备

说明书

本发明提出了一种对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及执行该封装方法的封装设备。本发明的对基材表面进行脱气的方法，包括如下步骤：S1、打开脱气腔；S2、往所述脱气腔中送入多片基材；S3、关闭所述脱气腔；S4、在所述脱气腔内同时对多片所述基材进行脱气；S5、打开所述脱气腔；S6、将多片所述基材从所述脱气腔送出。根据本发明第一方面的对基材表面进行脱气的方法，能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及封装设备。

背景技术

在半导体器件的封装工艺中，基材(例如晶片)的表面可能存在有机材料，或吸附有H₂O气等，因此，在镀膜之前需要进行degas(脱气)制程处理，将基材的表面吸附的H₂O气、有机溶剂等祛除，从而保证后续沉积薄膜的致密性、附着力等特性合格。

例如，在面板级先进封装的制程中，需要进行晶圆重构，将制作完成的晶圆切割成小片晶片，用胶材贴合在晶圆或者方形载板玻璃上，接着在上方涂布PI(聚酰亚胺)膜层平坦化，再制作RDL(Redistribution Layer)层，将晶片中的I/O电极导出。由于胶材和PI膜层中含有大量的溶剂，需要通过高温degas制程，使胶材和PI膜层中的溶剂等挥发出来。

然而，在已知技术当中，基材在degas制程中，容易出现翘曲以及部分区域degas不充分的情况。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上解决已知技术问题之一，为此，本发明提出了一种对基材表面进行脱气的方法，能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。此外，本发明还提出了半导体器件封装方法以及执行该封装方法的封装设备。

根据本发明第一方面的对基材表面进行脱气的方法，包括如下步骤：

S1、打开脱气腔；

S2、往所述脱气腔中送入多片基材；

S3、关闭所述脱气腔；

S4、在所述脱气腔内同时对多片所述基材进行脱气；

S5、打开所述脱气腔；

S6、将多片所述基材从所述脱气腔送出。

根据本发明第一方面的对基材表面进行脱气的方法，具有如下有益效果：能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。

在一些实施方式中，在步骤S2中，在所述脱气腔内，沿所述基材的厚度方向保持多片所述基材。

在一些实施方式中，在步骤S4中，分别从各所述基材的两侧表面对所述基材进行加热。

在一些实施方式中，在步骤S4中，通过加热板从所述基材的下方对所述基材进行加热，通过加热气体从所述基材的上方对所述基材进行加热。

在一些实施方式中，在步骤S6，与送入多片所述基材的顺序相同地，依次送出多片所述基材。

根据本发明第二方面的半导体器件封装方法，包括如下步骤：

脱气步骤，对作为半导体器件的基材的表面进行脱气处理；

预清洗步骤，在所述脱气步骤之后，对所述基材的表面进行预清洗处理；

镀膜步骤，在所述预清洗步骤之后，对所述基材的表面进行镀膜处理；

其中，在所述脱气步骤中，采用上述任一项的对基材表面进行脱气的方法。

根据本发明第二方面的半导体器件封装方法，具有如下有益效果：能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。