[发明专利]晶片边缘环升降解决方案在审
申请号: | 202310233773.3 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN116110846A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | M·R·赖斯;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;S·E·巴巴扬;O·卢艾莱;D·M·库萨;I·尤瑟夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 边缘 升降 解决方案 | ||
1.一种用于处理基板的处理套件,所述处理套件包括:
支撑环,所述支撑环包括上表面,所述上表面具有安置在第一高度处的径向内缘和安置在小于所述第一高度的第二高度处的径向外缘,所述径向内缘具有大于所述径向外缘的厚度;
边缘环,安置在所述支撑环上,所述边缘环的内表面与所述支撑环的所述径向内缘相接;
覆盖环,安置在所述边缘环的径向外侧,所述边缘环相对于所述支撑环和所述覆盖环是独立地可移动的;以及
一个或更多个推动销,安置在所述覆盖环的内径的径向内侧,所述一个或更多个推动销可操作以升高所述边缘环,其中所述支撑环的径向方向上的移动由所述一个或更多个推动销约束。
2.如权利要求1所述的处理套件,其中所述覆盖环由石英制造。
3.如权利要求1所述的处理套件,还包括:
包含一个或多个推动销的致动机构,所述致动机构被配置为致动所述边缘环使得所述边缘环的底面与所述支撑环的所述径向外缘之间的距离变化。
4.如权利要求1所述的处理套件,其中所述一个或多个推动销由石英制造。
5.如权利要求1所述的处理套件,还包括:
环形套管,安置在所述支撑环的径向外侧并且在所述边缘环下方。
6.如权利要求1所述的处理套件,其中间隙形成于所述支撑环和所述环形套管之间。
7.一种用于处理基板的处理套件,所述处理套件包括:
支撑环,具有第一部分和第二部分,所述第一部分具有第一厚度,所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度,所述第一部分和所述第二部分形成所述支撑环的阶梯表面;
边缘环,被配置为与所述支撑环的所述阶梯表面相接,所述边缘环的底面安置在所述第一部分和所述第二部分中的至少一者上方;
环形套管,安置在所述支撑环的径向外侧并且在所述边缘环下方,所述环形套管接触所述边缘环的所述底面;以及
覆盖环,外接至少所述边缘环,所述边缘环相对于所述支撑环和所述覆盖环是独立地可移动的。
8.如权利要求7所述的处理套件,其中所述覆盖环由石英制造。
9.如权利要求7所述的处理套件,还包括:
致动机构,所述致动机构被配置为致动所述边缘环使得所述边缘环的所述底面与所述支撑环的所述第二部分之间的距离变化。
10.如权利要求9所述的处理套件,其中所述致动机构包括:
推动销,安置在所述覆盖环的内径的径向内侧。
11.如权利要求10所述的处理套件,其中所述推动销由石英制造。
12.如权利要求7所述的处理套件,其中间隙形成于所述支撑环和所述环形套管之间。
13.如权利要求7所述的处理套件,其中当所述边缘环在最下位置中时,所述支撑环和所述边缘环共享共面的上表面。
14.如权利要求7所述的处理套件,其中当所述边缘环在最下位置中时,所述边缘环的所述底面安置在所述支撑环的第一部分和所述第二部分两者的底面上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造