[发明专利]晶片边缘环升降解决方案

说明书

在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。

本申请是申请日为2016年12月30日、申请号为“201680067775.8”、发明名称为“晶片边缘环升降解决方案”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的示例大体是关于用于处理基板(例如半导体基板)的装置。更特定言之，公开了处理套件及用于使用该套件的方法。

背景技术

在处理基板(例如半导体基板及显示面板)时，基板被放置在处理腔室中的支撑件上，同时在处理腔室中维持合适的处理条件以沉积、蚀刻基板表面、在基板表面上形成层或以其他方式处置基板表面。在蚀刻处理期间，等离子体(其驱动蚀刻处理)可能不均匀地跨基板表面而分布。不均匀性在基板表面的边缘处特别明显。此不均匀性助长不良的处理结果。因此，某些处理腔室使用边缘环(其亦可称为处理套件环)，以增加等离子体均匀性且改良处理产量。

然而，传统的边缘环随时间而腐蚀。随着边缘环腐蚀，跨基板表面的等离子体均匀性减少，因此负面地影响了基板处理。因为在等离子体均匀性及受处理基板的质量之间存在直接相关性，传统的处理腔室需要频繁地替换边缘环以维持等离子体均匀性。然而，频繁地替换边缘环造成了用于预防维护的不希望的停机时间，且导致了用于可消耗部件(例如边缘环)的成本增加。

因此，在本技术领域中存在对改良等离子体均匀性的方法及装置的需要。

发明内容

在一个示例中，一种用于处理基板的装置包括基板支撑件、安置在该基板支撑件上的静电夹盘及围绕该静电夹盘的处理套件。该静电夹盘包括第一部分、第二部分及第三部分。该处理套件包括：支撑环，其安置在该静电夹盘的该第三部分的表面上；边缘环，其相对于该支撑环是独立地可移动的且安置在该静电夹盘的该第二部分的表面上；及覆盖环，其安置在该支撑环上，其中该覆盖环具有接触该支撑环的第一表面。

在另一示例中，基板支撑组件包括：静电夹盘，其包括具有第一表面的第一部分、具有第二表面的第二部分及具有第三表面的第三部分以及处理套件。该处理套件包括：支撑环，其安置在该静电夹盘的该第三部分的该第三表面上，且围绕该静电夹盘的该第二部分；边缘环，其安置在该静电夹盘的该第二部分的该第二表面上；及覆盖环，其安置在该支撑环上，其中该覆盖环围绕该边缘环。该基板支撑组件还包括：一或更多个推动销，其被定位来升高该边缘环；及一或更多个致动器，其耦合至该一或更多个推动销，该一或更多个致动器可操作以控制该一或更多个推动销的升高步骤。

在另一示例中，一种方法包括以下步骤：处理第一数量的基板，同时将边缘环维持在处理腔室中的第一位置中，从该第一位置向第二位置升高该边缘环；及在已从该处理腔室移除该第一数量的基板中的所有基板之后，由机器人从该处理腔室移除该边缘环。在处理该第一数量的基板中的第一基板时，该第一基板安置在静电夹盘的第一部分的第一表面上，该边缘环安置在该静电夹盘的第二部分的第二表面上且由安置在支撑环上的覆盖环围绕，且该支撑环安置在该静电夹盘的第三部分的第三表面上。

附图说明

可通过参照本公开的方面(其中的某些部分被描绘于随附的绘图中)来拥有以上所简要概述的本公开的更特定描述，使得可使用详细的方式来了解以上所述的本公开的特征。然而，要注意的是，随附的绘图仅描绘此公开的一般方面且因此并不视为对其范围的限制，因为本公开可允许其他等效的方面。

图1为依据本公开的一个示例的处理腔室的示意横截面侧视图。