[发明专利]用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器在审
| 申请号： | 202310234414.X | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116403867A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑海暎 | 申请（专利权）人： | 苏州艾成科技技术有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/046 | 分类号： | H01H85/046;H01H85/00;H01H85/02 |
| 代理公司： | 苏州知睦专利代理事务所(普通合伙) 32627 | 代理人： | 李晓辰 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 保护 电流 电压 双重 模式 陶瓷 芯片 熔断器 | ||
1.用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，包括熔断器主体(1)，其特征在于：所述熔断器主体(1)包括第一陶瓷片(2)、第二陶瓷片(5)与第三陶瓷片(6)，所述第一陶瓷片(2)位于第二陶瓷片(5)的上端表面位置，所述第三陶瓷片(6)位于第二陶瓷片(5)的下端表面位置，所述熔断器主体(1)连接有二次电池(19)、电压感应器(20)、开关(21)与电源(22)，所述电压感应器(20)与开关(21)之间连接。
2.根据权利要求1所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第一陶瓷片(2)上电性设置有第一电极(3)、第二电极(7)、保险丝(4)与第三电极(8)，所述保险丝(4)位于第二电极(7)、第一电极(3)与第三电极(8)上端的位置。
3.根据权利要求1所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第二陶瓷片(5)上电性设置有加热器(10)、第五电极(11)、第四电极(9)、第六电极(12)与第七电极(13)，所述加热器(10)位于第五电极(11)与第六电极(12)之间的位置。
4.根据权利要求1所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第三陶瓷片(6)上电性连接有第十一电极(18)、第九电极(16)、第十电极(17)、第八电极(15)与通孔柱(14)，所述通孔柱(14)连接在第十一电极(18)、第九电极(16)、第十电极(17)与第八电极(15)上的位置。
5.根据权利要求1所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第一陶瓷片(2)、第二陶瓷片(5)与第三陶瓷片(6)之间组成整体，所述熔断器主体(1)与二次电池(19)、电压感应器(20)、开关(21)和电源(22)之间串联连接。
6.根据权利要求2所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第一陶瓷片(2)与第三电极(8)、第一电极(3)、保险丝(4)和第二电极(7)之间电性连接。
7.根据权利要求3所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第二陶瓷片(5)与加热器(10)、第五电极(11)、第四电极(9)、第六电极(12)和第七电极(13)之间电性连接。
8.根据权利要求4所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器，其特征在于：所述第三陶瓷片(6)通过通孔柱(14)与第十一电极(18)、第九电极(16)、第十电极(17)和第八电极(15)之间电性连接。
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