[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202310235819.5 申请日: 2023-03-13
公开(公告)号: CN116075167A 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 袁旭 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10K50/115 分类号: H10K50/115;H10K71/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 金俊姬
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极;

所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构,所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域,所述第一区域与所述壳结构接触连接,所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙,所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。

2.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一辅助功能层为空穴传输层,所述第二辅助功能层为电子传输层。

3.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一区域与所述壳结构之间通过共价键连接。

4.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述空隙的最大高度为3nm~7nm。

5.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

6.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述核结构的材料包括CdS、CdSe、InP、ZnSe、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdSe/ZnSe至少其中之一。

7.如权利要求5所述的电致发光器件,其特征在于,所述壳结构的材料包括ZnSe、ZnS至少其中之一。

8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的电致发光器件。

9.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上一层形成层叠设置的第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极;其中,所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构,所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域,所述第一区域与所述壳结构接触连接,所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙,所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。

10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,制备所述量子点具体包括:

制备核结构的溶液;其中,所述核结构表面的配体为水溶性配体,所述核结构表面划分为第一区域和第二区域;

在所述核结构的表面形成中间层;其中,通过控制反应时间使得所述中间层包覆所述核结构表面的第二区域,所述中间层的材料包括SiO2

在所述中间层的表面形成壳结构;所述核结构表面的第一区域与所述壳结构接触连接,所述壳结构表面的配体为水溶性配体;

去除所述中间层,在所述核结构表面的第二区域与所述壳结构之间形成空隙,得到所述量子点。

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